[发明专利]一种像素bank结构及制作方法

权利要求书

1.一种像素bank结构，其特征在于，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。

2.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。

3.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。

4.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。

5.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区为负性光阻。

6.一种如权利要求1所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

A、在基板上制作像素电极；

B、再在像素电极上沉积一层光阻；

C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；

D、对光阻进行显影；

E、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。

7.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述半透光区的尺寸为50~500nm。

8.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述步骤C中，曝光后，半透光区下方的光阻形成微纳结构。

9.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。

10.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述光阻为负性光阻。