[发明专利]一种像素bank结构及制作方法在审

专利信息
申请号: 201611170611.6 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN106783918A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56;G03F7/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 代理人: 王永文,刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 bank 结构 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示领域,尤其涉及一种像素bank结构及制作方法。

背景技术

采用溶液加工制作OLED以及QLED器件,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。

但作为一个新兴技术,溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料及喷印设备对其进行了改进,但是印刷出的薄膜形貌不均匀等问题一直都未能有效解决。

在常规印刷OLED或QLED器件中,像素界定层(PDL或bank)呈现上窄下宽的结构,以限制墨水在印刷时向四周溢出,其结构如图1所示,在基板10上制作像素电极11,像素电极11所在区域为像素发光区13,像素发光区13两侧为像素bank区12,这种结构是通过曝光掩膜来制作的,曝光掩膜1如图2所示,分为不透光区3和透光区2,其中不透光区3对应与像素发光区13,透光区2对应像素bank区12,曝光显影后,不透光区3下的光阻材料被显影掉,形成像素发光区13,而透光区2下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区12,像素bank区12的上表面与内侧壁均匀光滑表面,具有相同的亲疏液特性。为保证墨水成膜的均匀性,bank内部需与墨水呈现亲液性质,即小角度接触角;而同时为避免墨滴铺展到相连像素,bank上半部分需要与液体呈现疏液性质,及大角度接触角。为了实现bank上部与下部墨水不同的接触角区别,bank往往由多种材料组成并经过多次复杂工序制成。通过此方式以保证墨水对bank亲疏液性,但这种方式存在多次对位、曝光、显影和刻蚀工序,导致制程复杂、效率低、成本大幅增加,极大的限制了印刷技术在大尺寸显示器制造方向上的运用。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种像素bank结构及制作方法,旨在解决现有的bank结构制程复杂、效率低、成本高等问题。

本发明的技术方案如下:

一种像素bank结构,其中,包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区,所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。

所述的像素bank结构,其中,所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。

所述的像素bank结构,其中,所述微纳结构的尺寸为50~500nm。

所述的像素bank结构,其中,所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。

所述的像素bank结构,其中,所述像素bank区为负性光阻。

一种如上所述的像素bank结构的制作方法,其中,包括步骤:

A、在基板上制作像素电极;

B、再在像素电极上沉积一层光阻;

C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光,其中,曝光掩膜具有透光区和不透光区,其中不透光区对应于像素发光区,透光区对应于像素bank区,所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区;

D、对光阻进行显影;

E、对未被去除的光阻进行烘干,形成像素bank结构。

所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述半透光区的尺寸为50~500nm。

所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述步骤C中,曝光后,半透光区下方的光阻形成微纳结构。

所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。

所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述光阻为负性光阻。

有益效果:本发明在像素bank区上表面形成微纳结构,使其上表面凹凸不平,从而放大像素bank区上表面的亲疏液性,形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构,从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构,大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺,提高了制作效率,节约了制作成本。

附图说明

图1为现有技术中一种像素bank结构的结构示意图。

图2为现有技术中一种曝光掩膜的结构示意图。

图3为本发明中一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图。

图4为一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图。

图5为本发明中一种曝光掩膜较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

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