[发明专利]一种像素bank结构及制作方法在审
申请号: | 201611170611.6 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106783918A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G03F7/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人: | 王永文,刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 bank 结构 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种像素bank结构及制作方法。
背景技术
采用溶液加工制作OLED以及QLED器件,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但作为一个新兴技术,溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料及喷印设备对其进行了改进,但是印刷出的薄膜形貌不均匀等问题一直都未能有效解决。
在常规印刷OLED或QLED器件中,像素界定层(PDL或bank)呈现上窄下宽的结构,以限制墨水在印刷时向四周溢出,其结构如图1所示,在基板10上制作像素电极11,像素电极11所在区域为像素发光区13,像素发光区13两侧为像素bank区12,这种结构是通过曝光掩膜来制作的,曝光掩膜1如图2所示,分为不透光区3和透光区2,其中不透光区3对应与像素发光区13,透光区2对应像素bank区12,曝光显影后,不透光区3下的光阻材料被显影掉,形成像素发光区13,而透光区2下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区12,像素bank区12的上表面与内侧壁均匀光滑表面,具有相同的亲疏液特性。为保证墨水成膜的均匀性,bank内部需与墨水呈现亲液性质,即小角度接触角;而同时为避免墨滴铺展到相连像素,bank上半部分需要与液体呈现疏液性质,及大角度接触角。为了实现bank上部与下部墨水不同的接触角区别,bank往往由多种材料组成并经过多次复杂工序制成。通过此方式以保证墨水对bank亲疏液性,但这种方式存在多次对位、曝光、显影和刻蚀工序,导致制程复杂、效率低、成本大幅增加,极大的限制了印刷技术在大尺寸显示器制造方向上的运用。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种像素bank结构及制作方法,旨在解决现有的bank结构制程复杂、效率低、成本高等问题。
本发明的技术方案如下:
一种像素bank结构,其中,包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区,所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。
所述的像素bank结构,其中,所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。
所述的像素bank结构,其中,所述微纳结构的尺寸为50~500nm。
所述的像素bank结构,其中,所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。
所述的像素bank结构,其中,所述像素bank区为负性光阻。
一种如上所述的像素bank结构的制作方法,其中,包括步骤:
A、在基板上制作像素电极;
B、再在像素电极上沉积一层光阻;
C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光,其中,曝光掩膜具有透光区和不透光区,其中不透光区对应于像素发光区,透光区对应于像素bank区,所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区;
D、对光阻进行显影;
E、对未被去除的光阻进行烘干,形成像素bank结构。
所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述半透光区的尺寸为50~500nm。
所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述步骤C中,曝光后,半透光区下方的光阻形成微纳结构。
所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。
所述的像素bank结构的制作方法,其中,所述光阻为负性光阻。
有益效果:本发明在像素bank区上表面形成微纳结构,使其上表面凹凸不平,从而放大像素bank区上表面的亲疏液性,形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构,从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构,大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺,提高了制作效率,节约了制作成本。
附图说明
图1为现有技术中一种像素bank结构的结构示意图。
图2为现有技术中一种曝光掩膜的结构示意图。
图3为本发明中一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图。
图4为一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图。
图5为本发明中一种曝光掩膜较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的