[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED显示面板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素定义层，其特征在于，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧的绝缘介质层；

所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为1～5μm。

3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧，且靠近所述像素定义层的开口的突起结构；

所述突起结构环绕所述像素定义层的开口设置，且所述突起结构的高度小于所述绝缘介质层的高度。

4.根据权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构的材料均不相同；或者，

所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构三者中至少有两者的材料相同。

5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括薄膜晶体管和发光单元；所述发光单元包括阳极、有机材料功能层和阴极，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；

所述薄膜晶体管设置在所述像素定义层与所述衬底之间；

所述阳极设置在所述像素定义层与所述衬底之间，且所述像素定义层的开口露出部分所述阳极；所述有机材料功能层设置在所述像素定义层的开口内；所述阴极至少设置在所述像素定义层的开口内。

6.一种OLED显示面板的制备方法，包括：在衬底上形成像素定义层，其特征在于，还包括：在所述像素定义层远离所述衬底的一侧形成绝缘介质层；

所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述像素定义层远离所述衬底一侧，且靠近所述像素定义层的开口形成突起结构；

所述突起结构环绕所述像素定义层的开口设置，且所述突起结构的高度小于所述绝缘介质层的高度。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：

利用第一掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层；

在所述像素定义层上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述绝缘介质层；利用第三掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述突起结构。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：

利用第一掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层；

在所述像素定义层上，形成第一绝缘介质薄膜，利用第一灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述绝缘介质层和所述突起结构。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：

形成第二绝缘介质薄膜，利用第二灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层和所述突起结构；

在所述像素定义层上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述绝缘介质层；或者，

形成第三绝缘介质薄膜，利用第三灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层和绝缘介质层；

在所述像素定义层上，利用第三掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述突起结构。

11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：

形成第四绝缘介质薄膜，利用第四灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构。

12.根据权利要求6-11任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括形成薄膜晶体管和发光单元；所述发光单元包括阳极、有机材料功能层和阴极，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；

所述薄膜晶体管形成在所述像素定义层与所述衬底之间；

所述阳极形成在所述像素定义层与所述衬底之间，且所述像素定义层的开口露出部分所述阳极；所述有机材料功能层形成在所述像素定义层的开口内且后于所述绝缘介质层形成；所述阴极至少形成在所述像素定义层的开口内。