[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构

权利要求书

1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供OLED器件(101)，在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201)，所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101)；

步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301)，所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201)；

步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401)，所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)；

步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202)，所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401)；

所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；

所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm；所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm；所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同；

所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：

步骤5、在所述第二无机层(202)上形成第二钛掺杂类金刚石膜层(302)，所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)整面覆盖所述第二无机层(202)。

3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：

步骤5’、在所述第二无机层(202)上形成第二有机层(402)，所述第二有机层(402)整面覆盖所述第二无机层(202)；

在所述第二有机层(402)上形成第三无机层(203)，所述第三无机层(203)整面覆盖所述第二有机层(402)。

4.如权利要求2所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：

步骤6、在所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)上形成第二有机层(402)，所述第二有机层(402)整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)；

在所述第二有机层(402)上形成第三无机层(203)，所述第三无机层(203)整面覆盖所述第二有机层(402)。

5.如权利要求4所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：

步骤7、在所述第三无机层(203)上形成第三钛掺杂类金刚石膜层(303)，所述第三钛掺杂类金刚石膜层(303)整面覆盖所述第三无机层(203)。

6.一种OLED封装结构，其特征在于，包括OLED器件(101)、设于OLED器件(101)上且整面覆盖所述OLED器件(101)的第一无机层(201)、设于第一无机层(201)上且整面覆盖所述第一无机层(201)的第一钛掺杂类金刚石膜层(301)、设于第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上且整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的第一有机层(401)、以及设于第一有机层(401)上且整面覆盖所述第一有机层(401)的第二无机层(202)；

所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；

所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm；所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm；所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同；

所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述第二无机层(202)上且整面覆盖所述第二无机层(202)的第二钛掺杂类金刚石膜层(302)。