[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构有效
申请号: | 201611179979.9 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106654045B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 彭斯敏;金江江 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 封装 方法 结构 | ||
本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构,通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层,利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率,来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力,进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED器件的封装材料多使用致密度高且具有良好导热性的材料,以确保OLED器件中的有机层及电极层材料与外界环境完全隔离,并有效排出OLED器件长时间工作所产生的热能。类金刚石(Diamond-Like Carbon,DLC)具有良好的抗磨耗性能、较佳的耐腐蚀性、高致密度以及高热传导性,同时对湿气具有较低的水穿透率,因此相对于一般的有机材料或陶瓷材料来说,在OLED的封装工艺上具有一定的优势。
目前,应用DLC材料的OLED封装结构一般采用DLC膜/缓冲层/DLC膜/缓冲层交替的结构,如Kuang-Jung Chen在专利US20040056269中的封装结构采用DLC膜与缓冲层交替的方式,DLC膜用于阻隔外界的水氧,缓冲层用于缓解应力。随后,在CN1328936C、US20060078677等专利中都可以看到一系列此类型的封装工艺。然而,由于纯DLC膜的密度较高,因此光穿透性不高,而且膜的应力很大,在弯曲时容易出现裂痕。
Xiaowei Li等人在Elsevier上报道了采用不同浓度的钛(Ti)掺杂DLC后对DLC膜的应力大小的影响,结果表明,随着Ti含量的增加,膜应力呈现先减小后增大的趋势,该研究为解决DLC膜在弯曲时易出现裂痕的问题提供了很好的指导方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED封装方法,能够提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力,进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。
本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构,能够提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力,进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。
为实现上述目的,本发明首先提供一种OLED封装方法的第一实施例,包括如下步骤:
步骤1、提供OLED器件,在所述OLED器件上形成第一无机层,所述第一无机层整面覆盖所述OLED器件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择