[发明专利]空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置

权利要求书

1.一种空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括步骤：

首先制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒溶液；

然后将所制得的FeS₂纳米颗粒溶液沉积在PEDOT:PSS空穴注入层上，得到空穴传输层。

2.根据权利要求1所述的空穴传输层的制备方法，其特征在于，所述亲油性有机配体为烷基酸、烷基胺、烷基硫醇、膦、氧化膦、烷基磷酸、硬脂酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的空穴传输层的制备方法，其特征在于，FeS₂纳米颗粒溶液中，FeS₂纳米颗粒为掺杂金属离子的FeS₂纳米颗粒，掺杂的金属离子为钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、铬离子、钼离子、钨离子、锰离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌离子、镉离子、铝离子、铟离子、锗离子、锡离子、铅离子、锑离子、碲离子中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的空穴传输层的制备方法，其特征在于，表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒的形态为致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的空穴传输层的制备方法，其特征在于，制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒溶液的方法步骤如下：将四水合氯化亚铁溶解在十八胺中，得到铁盐溶液；同时在惰性气体保护下将硫粉溶解在二苯醚中，得到硫溶液；接着在惰性气体保护下将配制的硫溶液滴加到铁盐溶液中，然后将混合溶液加热至100~300 °C后，反应5~360 min；反应结束后对混合溶液进行清洗纯化、并离心沉降，得到表面包覆有十八胺的FeS₂纳米颗粒，最后将FeS₂纳米颗粒溶解于氯仿中，得到FeS₂纳米颗粒溶液。

6.一种空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层采用如权利要求1~5任一所述的空穴传输层的制备方法制备而成。

7.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、在含有阳极的衬底上制备PEDOT:PSS空穴注入层；

步骤B、在PEDOT:PSS空穴注入层上制备如权利要求6所述的空穴传输层；

步骤C、在空穴传输层上制备量子点发光层；

步骤D、在量子点发光层上依次制备电子传输层以及阴极，得到QLED器件。

8.一种QLED器件，其特征在于，自下而上依次包括：含有阳极的衬底、PEDOT:PSS空穴注入层、如权利要求6所述的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极。

9.一种发光模组，其特征在于，包括如权利要求8所述的QLED器件。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的发光模组。