[发明专利]空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种空穴传输层与QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置。

背景技术

量子点（Quantum dot，QD）是一种溶液可加工的半导体纳米晶体，具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高、光/化学性稳定性好等优点，最有希望成为下一代发光器件的核心部分。量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED）技术是基于量子点的一种全新技术，QLED具有制备工艺简单、稳定性好、色纯度高、色温佳、寿命长等突出优点，与传统发光二极管相比具有无可比拟的技术优势和应用前景。

目前所研究的QLED器件，大多数采用有机发光二极管（Organic light-emitting diode, OLED）中成熟应用的有机半导体材料作为载流子注入或传输层，如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）等。其中，PEDOT:PSS具有优异的空穴迁移率和优秀的成膜性能，是最常被用作空穴注入层的材料。优异的空穴迁移率使其能够很好地对阳极上的空穴进行快速的注入和转移，有效地抑制了空穴的积累，而优秀的成膜性能使其加工过程简单可控、重复率高，且大大地降低了工艺成本。虽然如此，PEDOT:PSS呈弱酸性，且其本身含有易吸水的PSS单元，容易吸水受潮，对同为有机半导体材料的空穴传输层产生严重影响，最终会影响了QLED器件的发光效率、发光均匀性、发光寿命以及器件稳定性。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种空穴传输层与QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置，旨在解决现有PEDOT:PSS空穴注入层吸潮对各功能层造成破坏，及现有空穴传输层与空穴注入层及量子点之间的能带匹配性较低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种空穴传输层的制备方法，其中，包括步骤：

首先制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒溶液；

然后将所制得的FeS₂纳米颗粒溶液沉积在PEDOT:PSS空穴注入层上，得到空穴传输层。

所述的空穴传输层的制备方法，其中，所述亲油性有机配体为烷基酸、烷基胺、烷基硫醇、膦、氧化膦、烷基磷酸、硬脂酸中的一种或多种。

所述的空穴传输层的制备方法，其中，FeS₂纳米颗粒溶液中，FeS₂纳米颗粒为掺杂金属离子的FeS₂纳米颗粒，掺杂的金属离子为钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、铬离子、钼离子、钨离子、锰离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌离子、镉离子、铝离子、铟离子、锗离子、锡离子、铅离子、锑离子、碲离子中的一种或多种。

所述的空穴传输层的制备方法，其中，表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒的形态为致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球中的一种或多种。

所述的空穴传输层的制备方法，其中，制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒溶液的方法包括步骤：将四水合氯化亚铁溶解在十八胺中，得到铁盐溶液；同时在惰性气体保护下将硫粉溶解在二苯醚中，得到硫溶液；接着在惰性气体保护下将配制的硫溶液滴加到铁盐溶液中，然后将混合溶液加热至100~300 °C后，反应5~360 min；反应结束后对混合溶液进行清洗纯化、并离心沉降，得到表面包覆有十八胺的FeS₂纳米颗粒，最后将FeS₂纳米颗粒溶解于氯仿中，得到FeS₂纳米颗粒溶液。

一种空穴传输层，其中，所述空穴传输层采用如上任一所述的空穴传输层的制备方法制备而成。

一种QLED器件的制备方法，其中，包括：