[发明专利]存储电路及其写入方法

权利要求书

1.一种存储电路，包括：

第一存储单元列，沿第一方向布置，所述第一存储单元列的每一个存储单元均包括电源电压线段；

第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸，所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成；

第二电源电压线；

第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接，所述第一电阻器件位于所述存储电路的通孔层中；以及

电压源，通过一条或多条导电路径与所述第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。

2.根据权利要求1所述的存储电路，其中，所述第一电阻器件具有包括钨或钴的材料。

3.根据权利要求1所述的存储电路，其中，所述第二电源电压线在所述存储电路的第二导电层中沿第二方向延伸，所述第二方向不同于所述第一方向。

4.根据权利要求3所述的存储电路，其中：

所述第一存储单元列具有第一端和第二端；

所述第二电源电压线被设置为比所述第二端更邻近于所述第一端；以及

所述第一电阻器件被设置为比所述第二端更邻近于所述第一端。

5.根据权利要求4所述的存储电路，其中，所述存储电路还包括：

第三电源电压线，在所述存储电路的所述第二导电层中沿所述第二方向延伸，所述第三电源电压线被设置为比所述第一端更加邻近于所述第二端；以及

第二电阻器件，电连接所述第一电源电压线和所述第三电源电压线，所述第二电阻器件被设置为比所述第一端更加邻近于所述第二端。

6.根据权利要求5所述的存储电路，其中，所述第二电阻器件具有与所述第一电阻器件的材料相同的材料。

7.根据权利要求3所述的存储电路，其中，所述第一电阻器件包括在所述存储电路的所述第一导电层与所述存储电路的所述第二导电层之间的通孔插塞。

8.根据权利要求3所述的存储电路，还包括：

第二存储单元列，沿所述第一方向布置，所述第二存储单元列的每一个存储单元均包括电源电压线段；

第四电源电压线，在所述存储电路的所述第一导电层中沿所述第一方向延伸，所述第四电源电压线至少由所述第二存储单元列的所述电源电压线段组成；

第三电阻器件，电连接所述第四电源电压线和所述第二电源电压线。

9.根据权利要求1所述的存储电路，其中：

所述第二电源电压线在所述存储电路的所述第一导电层中沿所述第一方向延伸；以及

所述存储电路的所述通孔层邻近于所述第一导电层。

10.根据权利要求1所述的存储电路，其中：

所述第二电源电压线在所述存储电路的所述第一导电层中沿所述第一方向延伸；以及

所述第一电阻器件是被配置为导通的晶体管。

11.一种存储电路，包括：

第一存储单元列，沿第一方向布置，所述第一存储单元列的每一个存储单元均包括电源电压线段；

第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸，所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成；

第二电源电压线，在所述存储电路的第二导电层中沿第二方向延伸，所述第二方向不同于所述第一方向；以及

第一电阻器件，在所述存储电路的通孔层中，并且电连接所述第一电源电压线和所述第二电源电压线，所述第二电源电压线通过一条或多条导电路径与所述第一电源电压线电连接，所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中，所述第一电阻器件的电阻值大于在所述存储电路的所述通孔层的通孔插塞的电阻值。

12.根据权利要求11所述的存储电路，其中，所述第一电阻器件具有包括钨或钴的材料。