[发明专利]存储电路及其写入方法

说明书

本发明的实施例提供了存储电路及其写入方法。一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接。所述第一存储单元列的存储单元的每一个均包括电源电压线段。所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成。电压源，通过一条或多条导电路径与第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及存储电路及其写入方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业制造出各种各样的数字器件来解决多个不同领域的问题。这些数字器件中的一些被电性配置为用于存储数据的静态随机存取存储器(SRAM)单元。在写操作的一些应用中，设置数据线以承载对应于第一逻辑值的电压电平。然后数据线通过传输门器件连接至SRAM单元。当传输门器件将SRAM单元的数据节点拉至第一逻辑值时，SRAM单元的拉动器件还将该数据节点拉至对应于第二逻辑值的电压电平。在一些实施例中，由于在IC已经变得更小、更复杂，电路设计者面临更高的SRAM密度与各种拉动器件之间的拉动能力的适当平衡的折衷。然而，电路设计者考虑的拉动能力的平衡受制造工艺变化的影响。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置，所述第一存储单元列的每一个存储单元均包括电源电压线段；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸，所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接；以及电压源，通过一条或多条导电路径与所述第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。

根据本发明的另一方面，提供了一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置，所述第一存储单元列的每一个存储单元均包括电源电压线段；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸，所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成；第二电源电压线，在所述存储电路的第二导电层中沿第二方向延伸，所述第二方向不同于所述第一方向；以及第一电阻器件，在所述存储电路的通孔层中，并且电连接所述第一电源电压线和所述第二电源电压线，所述第二电源电压线通过一条或多条导电路径与所述第一电源电压线电连接，所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中，所述第一电阻器件的电阻值大于在所述存储电路的所述通孔层的通孔插塞的电阻值。

根据本发明的又一方面，提供了一种存储单元的写入方法，包括：使所述存储单元的拉动器件响应于所述存储单元的第二数据节点处的电压电平，将所述存储单元的第一数据节点处的电压电平拉至第一电源电压电平；使存储单元的传输门响应于字线信号，将所述存储单元的所述第一数据节点处的电压电平拉至第二电源电压电平，所述第二电源电压电平与所述第一电源电压电平不同；以及通过电阻器件限制所述拉动器件的驱动能力，所述电阻器件电连接在所述拉动器件和电压源之间，所述电压源被配置为提供第一电源电压，所述第一电源电压具有第一电源电压电平。

附图说明

在阅读附图时，本发明的各个方面可从下列详细描述获得最深入理解。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的静态随机存取存储器(SRAM)的示意性电路图。

图2是根据一些实施例的存储电路的包括一列SRAM存储单元的部分的示意性电路图。

图3A和3B是根据一些实施例的对应于图2中存储电路的各种存储电路的电源线的顶视图。