[发明专利]半导体器件和封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

互连层，位于所述衬底上方；

脱气层，位于所述互连层上方；

图案化的脱气阻挡层，位于所述脱气层上方，其中，所述图案化的脱气阻挡层包括多个阻挡结构和多个开口，所述多个开口暴露所述脱气层的最顶表面的部分，并且所述图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与所述脱气层的所述最顶表面共面；以及

电极，位于所述图案化的脱气阻挡层上方，

所述半导体器件，还包括：

导体，位于所述图案化的脱气阻挡层上方；以及

导电通孔，穿透所述图案化的脱气阻挡层和所述脱气层，以电连接所述互连层和所述导体，

其中，所述开口没有所述导电通孔、和所述导体的残留物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：有源器件，位于所述衬底与所述互连层之间，其中，所述有源器件电连接至所述互连层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述导体形成在具有平坦表面的所述图案化的脱气阻挡层上方。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述脱气层包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述图案化的脱气阻挡层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构的侧表面从所述脱气层暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连层包括彼此堆叠的金属化层和介电层。

8.一种封装件，包括：

器件晶圆，包括：

第一衬底；

第一脱气层，位于所述第一衬底上方；

第一图案化的脱气阻挡层，位于所述第一脱气层上方，其中，所述第一图案化的脱气阻挡层包括暴露所述第一脱气层的最顶表面的部分的多个开口，并且所述第一图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与所述第一脱气层的所述最顶表面共面；

第一感测电极，位于所述第一图案化的脱气阻挡层的部分上方；和

第一导体，位于所述第一图案化的脱气阻挡层的另一部分上方；以及

MEMS晶圆，位于所述器件晶圆上方，所述MEMS晶圆包括：

第二衬底；

第一感测结构，连接至所述第二衬底并且对应于所述第一感测电极；

第二导体，位于所述第二衬底上方并且接合至所述第一导体；和

间隔件，位于所述第二衬底上方并且邻近所述第二导体，其中，所述间隔件设置在第二导体的一侧或两侧或围绕所述第二导体设置，所述间隔件与所述第一导体接触，所述间隔件的高度小于所述第二导体的高度。

9.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述间隔件的材料比所述第二导体的材料相对更硬。

10.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第一感测结构和所述第一感测电极形成加速器。

11.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述器件晶圆还包括：

第二脱气层；

第二脱气阻挡层，位于所述第二脱气层上方；以及

第二感测电极，位于所述第二脱气阻挡层上方。

12.根据权利要求11所述封装件，其中，所述第二脱气层的最顶表面被所述第二脱气阻挡层覆盖。

13.根据权利要求11所述的封装件，其中，所述MEMS晶圆还包括连接至所述第二衬底并且对应于所述第二感测电极的第二感测结构。

14.根据权利要求13所述的封装件，其中，所述第二感测结构和所述第二感测电极形成陀螺仪或谐振器。