[发明专利]半导体器件和封装件及其制造方法

说明书

本发明的实施例提供了半导体器件、封装件及其制造方法。一种半导体器件包括衬底、互连层、脱气层以及图案化的脱气阻挡层。互连层位于衬底上方。脱气层位于互连层上方。图案化的脱气阻挡层位于脱气层上方。该图案化的脱气阻挡层包括多个阻挡结构和多个开口。该多个开口暴露脱气层的最顶表面的部分，并且图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与脱气层的最顶表面共面。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件和封装件及其制造方法。

背景技术

微机电系统(MEMS)器件用于包括陀螺仪、谐振器、加速器或其他应用的各种应用。例如，加速器通常用于汽车(例如，在安全气囊系统中)中，而陀螺仪通常用于全球定位系统(GPS)。

近年来，将MEMS器件合并到通过互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺形成的集成芯片中越来越常见。将MEMS合并到CMOS中的工艺使得高产量制造的MEMS器件广泛使用。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；互连层，位于所述衬底上方；脱气层，位于所述互连层上方；以及图案化的脱气阻挡层，位于所述脱气层上方，其中，所述图案化的脱气阻挡层包括多个阻挡结构和多个开口，所述多个开口暴露所述脱气层的最顶表面的部分，并且所述图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与所述脱气层的所述最顶表面共面。

根据本发明的另一方面，提供了一种封装件，包括器件晶圆和MEMS晶圆。器件晶圆包括：第一衬底；第一脱气层，位于所述第一衬底上方；第一图案化的脱气阻挡层，位于所述第一脱气层上方，其中，所述第一图案化的脱气阻挡层包括暴露所述第一脱气层的最顶表面的部分的多个开口，并且所述第一图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与所述第一脱气层的所述最顶表面共面；第一感测电极，位于所述第一图案化的脱气阻挡层的部分上方；和第一导体，位于所述第一图案化的脱气阻挡层的另一部分上方。MEMS晶圆，位于所述器件晶圆上方，所述MEMS晶圆包括：第二衬底；第一感测结构，连接至所述第二衬底并且对应于所述第一感测电极；第二导体，位于所述第二衬底上方并且接合至所述第一导体；和间隔件，位于所述第二衬底上方并且邻近所述第二导体，其中，所述间隔件与所述第一导体接触。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成脱气层；在所述脱气层上方形成脱气阻挡层；在所述脱气阻挡层上方形成导体和感测电极；以及在形成所述导体和所述感测电极之后，图案化所述脱气阻挡层，以形成暴露所述脱气层的最顶表面的部分的多个开口。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个结构未按比率绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种结构的尺寸可以被任意地增大或缩小。

图1是根据本发明的一些实施例的器件晶圆的示意性截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的封装件的示意性截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的封装件的示意性截面图。

图4是根据本发明的各个方面制造半导体器件的方法的流程图。

图5A至图5I是根据本发明的一些实施例的制造半导体器件的各种操作中的其中一个的示意图。

具体实施方式