[发明专利]高纯度二氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201611188310.6 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108203096A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 青岛祥智电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266100 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯度二氧化硅 氟硅酸铵 高纯度 制备 氨水 二氧化硅沉淀 二氧化硅粉体 四氟化硅气体 操作工艺 固液分离 生产过程 四氟化硅 无污染物 原料成本 蒸发结晶 氟化铵 硅藻土 热分解 粉体 高纯 洗涤 沉淀 过滤 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度二氧化硅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)硅藻土和氟化铵水溶液在80～90℃下反应生成氟硅酸铵溶液和氨气，所述氟硅酸铵溶液经过滤和高速离心后除去杂质，实现初步提纯；所述氨气经纯水吸收，制成高纯氨水；
2)将初步提纯后的氟硅酸铵溶液经过多次蒸发结晶，通过固液分离进行二次提纯，然后通过洗涤得到高纯度氟硅酸铵固体；
3)将所述高纯度氟硅酸铵固体加热到100～150℃，使其分解生成四氟化硅气体和氟化铵气体；
4)将所述四氟化硅和氟化铵气体导入到反应设备中，使其与高纯氨水进行氨解反应，生成二氧化硅沉淀；
5)将所述二氧化硅沉淀通过高速离心脱水、洗涤和真空干燥，得到纯度大于6N的高纯度二氧化硅粉体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤2)中，将所述提纯后的氟硅酸铵溶液放入三效蒸发结晶器中，经过三次蒸发结晶实现固液分离。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤3)中，将所述高纯度氟硅酸铵固体放入热分解反应器中加热分解。
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