[发明专利]一种NVM测试读取加速方法及电路

说明书

技术领域

本发明属于集成电路芯片的测试设计领域，具体涉及可测性设计领域，通过内部并行自动数据比较可有效提高NVM存储器的读取比较数据速度。

背景技术

圆片测试在半导体产品的制造过程中起着十分重要的作用，从芯片被加工制造出来，到交到最终客户手中，经过了多次不同的测试，保证着产品的质量。而随着半导体工艺技术进步和设计复杂度逐渐提升，对芯片测试成本产生了巨大的冲击。测试时间变长，使芯片开发周期加长；测试成本增加，使整颗芯片成本激增。随着NVM容量也越来越大，NVM测试时间增长迅速，数据读取比较作为判断NVM存储数据是否正确的主要方法，所需的时间也增加显著。传统的读取方法采用将数据读出到I/O并串行输出进行比对的方式，其读出效率低，测试时间长，并且随着NVM容量变大呈现倍数增长。

鉴于上述原因，需要尽可能的缩减测试成本，因此优化NVM测试的读操作显得尤为重要，其带来的好处也显而易见，可以大幅降低测试时间，从而降低测试成本。

通过分析NVM的测试基本方法，发现NVM测试中大量使用了一些特征Pattern，每次读出的数据有规律可循，目前主流的测试流程中包含以下几种特定的测试Pattern：全“0”Pattern，全“1”Pattern，Checkerboard Pattern，INV Checkerboard Pattern，AA Pattern，55Pattern，Diagonal Pattern和Erase disturb Pattern。因此可以通过设计一种加速电路来提高读取速度。

发明内容

本发明的目的在于解决测试时NVM在特征Pattern的串行读取数据消耗时间长的问题，通过硬件实现内部并行数据读出比较以提高速度。

本发明是一种NVM测试读取加速方法，采用全硬件的实现方案，详细的技术方案描述如下：

本发明的硬件电路包括：一个地址生成逻辑、一个NVM存储器、一个比较数据生成逻辑、一个数据比较逻辑、若干组用于装载信息的数据寄存器(用于配置选择电路功能和临时数据存储，包括：片选寄存器、起始地址寄存器、结束地址寄存器、Pattern类型寄存器、原始数据寄存器和Pattern数据参考寄存器)、以及其它相关的组合逻辑等等。

所述的地址生成逻辑读取片选寄存器、起始地址寄存器、结束地址寄存器和Pattern类型寄存器的值，进行NVM地址的控制，控制每次读出数据的地址，并将此地址写回起始地址寄存器中。地址生成逻辑接收比较逻辑输出的fail信号，若fail信号为1，则会将NVM地址停止变化。地址生成逻辑判断其输出给NVM的地址和结束地址寄存器的值相等时，则会将finish信号输出为1，表示测试结束。

所述的用于存储芯片信息的NVM存储器，接收地址生成逻辑产生的控制信号，并输出相应地址的存储数据。

所述的比较数据生成逻辑读取Pattern类型寄存器、原始数据寄存器和接收地址生成逻辑产生地址的值，计算出本次需要比较的值，存储在Pattern比较参考寄存器中。

所述的比较逻辑将NVM存储器输出数据和Pattern比较参考寄存器中数据进行比较，若相等则输出fail信号为0，若不相等，则fail信号为1。

本发明的工作原理如下：通过设置片选寄存器、起始地址寄存器、结束地址寄存器、Pattern类型寄存器的值和原始数据寄存器，让地址生成逻辑根据不同的Pattern类型产生对应的地址控制，比较数据生成逻辑配合地址生成逻辑计算出期望的数据，存储在Pattern数据参考寄存器中。NVM存储器接收来自地址生成逻辑产生的地址和其他控制信号，输出对应的存储数据。比较逻辑将NVM存储器输出数据和Pattern数据参考寄存器中数据进行直接比较，若相等则fail信号无效继续测试，直到地址生成逻辑产生finish信号。若不相等则fail信号有效，地址生成逻辑停止产生NVM地址等待命令。当fail时，可以通过读取起始地址寄存器、Pattern数据参考寄存器和NVM中fail时地址数据来进行分析调试。

本发明所述NVM存储器读取加速方法为芯片内部读出比对方法，能有效利用NVM存储器的输出最大带宽，使得测试效率提升。

本发明所述NVM存储器读取加速方法，只有配置寄存器和启动由软件控制，后续所有操作均由硬件自动完成，实现高速自动读比对。

附图说明

图1硬件电路原理图

图2自动读比对流程图

图3 fail时分析调试流程图

具体实施方式