[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201611189564.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN107403819B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 林俊贤;谢志勇;谢朝桦;郭书铭 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其特征在于,包括:
基板,具有多个像素区;
多个主动组件,配置于所述基板上;
多条第一信号线以及多条第二信号线,配置于所述基板上且与所述多个主动组件电性连接,至少一个所述第一信号线的延伸方向与至少一个所述第二信号线的延伸方向不同;
多个接地信号线,配置于所述基板上,至少一个所述接地信号线位于相邻的两条所述第一信号线之间;以及
多个发光二极管,配置于所述基板上,其中至少一个所述发光二极管具有第一电极与第二电极,至少一个所述发光二极管的所述第一电极与对应的一个所述主动组件电性连接,至少一个所述发光二极管的所述第二电极与对应的一个所述接地信号线电性连接,位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条所述第一信号线之间的同一个所述接地信号线;
至少一个所述像素区具有多个子像素区,至少一个所述子像素区由相邻的两条第一信号线与相邻的两条第二信号线所定义,所述多个发光二极管包括发光颜色不同的第一发光二极管、第二发光二极管以及第三发光二极管,至少部分的所述第一发光二极管、至少部分的所述第二发光二极管以及至少部分的所述第三发光二极管配置于同一个子像素区中。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述至少二个发光二极管分别位于同一个所述接地信号线的不同两侧。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述多个接地信号线还包括分别位于同一条第一信号线的不同两侧的第一接地信号线与第二接地信号线,所述第一发光二极管、所述第二发光二极管及所述第三发光二极管其中的一个与所述第一接地信号线电性连接,而其余则与所述第二接地信号线电性连接。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,至少一个所述发光二极管包括:
第一半导体结构,与所述第一电极电性连接;
第二半导体结构,与所述第二电极电性连接;以及
发光层,配置于所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间,其中所述至少二发光二极管的多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其特征在于,所述该些子像素区在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上以间距P1排列,所述至少二发光二极管分别位于相邻的两个子像素区,所述至少二发光二极管的第一电极之间的距离为P2,而P2不等于P1。
6.根据权利要求4所述的显示设备,其特征在于,所述该些子像素区在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上以间距P1排列,所述至少二发光二极管形成多个发光二极管芯片,至少一个所述发光二极管芯片包括所述多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层的所述至少二发光二极管,两个发光二极管芯片在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上相邻,分别属于所述两个发光二极管芯片且彼此最靠近的二个第一电极之间的距离为P3,而P3不等于P1。
7.根据权利要求4所述的显示设备,其特征在于,所述多个发光二极管形成至少一个发光二极管芯片,至少一个所述发光二极管芯片包括所述多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层的所述至少二发光二极管,同一发光二极管芯片的所述至少二发光二极管分别配置于相邻的至少二子像素区,同一子像素区中配置有分别属于不同发光二极管芯片的多个发光二极管。
8.根据权利要求4所述的显示设备,其特征在于,所述多个发光二极管形成至少一个发光二极管芯片,至少一个所述发光二极管芯片包括所述多个第二半导体结构互相接触且形成于同一半导体层的所述至少二发光二极管,所述至少二发光二极管为四个发光二极管,同一发光二极管芯片的所述四个发光二极管芯片分别配置于彼此相邻的四个子像素区。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其特征在于,所述多个发光二极管芯片在与至少一个所述第二信号线的延伸方向平行的方向上对齐或错开。
10.根据权利要求8所述的显示设备,其特征在于,彼此相邻的所述四个子像素区的至少一个所述子像素区呈矩形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611189564.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性基板剥离方法
- 下一篇:Nand Flash块管理方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的