[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201611189564.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN107403819B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 林俊贤;谢志勇;谢朝桦;郭书铭 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本发明提供一种显示设备。本发明的显示设备包括具有多个像素区的基板、多个主动组件、多条第一信号线、多条第二信号线、多个接地信号线以及多个发光二极管。多个接地信号线配置于基板上且与多条第一信号线交替排列。至少一个发光二极管具有第一电极与第二电极。至少一个发光二极管的第一电极与对应的一个主动组件电性连接。至少一个发光二极管的第二电极与对应的一个接地信号线电性连接。位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。本发明的显示设备具有高分辨率。
技术领域
本发明涉及一种显示器,且特别涉及一种运用微型发光二极管的显示设备。
背景技术
承继发光二极管的特性,运用微型发光二极管之显示设备具有低功耗、高亮度、色彩饱和度、反应速度快、省电等优点。此外,显示设备还具有材料稳定性佳及无影像残留(image sticking)的优势,因此,运用微型发光二极管显示器的显示设备的显示技术倍受关注。其中,如何提升运用微型发光二极管显示器的显示设备的分辨率更是开发的重点之一。
显示设备包括基板以及配置于主动组件基板上的多个发光二极管。主动组件基板具有反射结构,例如:主动组件、扫描线、数据线、电容电极等。在外界光束照射的情况下,主动组件基板的反射结构会反射外界光束。被反射的外界光束会干扰发光二极管芯片所发出的光束,而影响显示效果。因此,如何改善外界光束影响显示效果的问题也是目前显示设备的开发重点之一。
发明内容
本发明提供一种显示设备,具有高分辨率。
本发明提供一种显示设备,显示效果佳。
本发明的显示设备包括基板、多个主动组件、多条第一信号线、多条第二信号线、多个接地信号线以及多个发光二极管。基板具有多个像素区。多个主动组件配置于基板上。多条第一信号线以及多条第二信号线配置于基板上且与主动组件电性连接。至少一个第一信号线的延伸方向与至少一个第二信号线的延伸方向不同。多个接地信号线配置于基板上且与第一信号线交替排列。多个发光二极管配置于基板上。至少一个发光二极管具有第一电极与第二电极。至少一个发光二极管的第一电极与对应的一个主动组件电性连接。至少一个发光二极管的第二电极与对应的一个接地信号线电性连接。位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。
本发明的显示设备包括基板、多个发光二极管、第一绝缘层以及抗反射导电层。基板具有多个子像素区以及位于多个子像素区的多个反射结构。多个发光二极管配置于多个子像素区上且与基板电性连接。第一绝缘层填充于多个发光二极管之间。抗反射导电层配置于第一绝缘层上。抗反射导电层的反射率低于反射结构的反射率。抗反射导电层遮蔽基板的反射结构且具有多个开口。开口暴露发光二极管的发光区。
基于上述,在本发明一实施例的显示设备中,位于同一像素区的至少二个发光二极管电性连接至相邻两条第一信号线之间的同一个接地信号线。由此,显示设备的基板的面积能有效率地被使用,而实现具有高分辨率的显示设备。
本发明另一实施例的显示设备包括抗反射导电层。抗反射导电层的反射率低于显示设备的主动组件基板的反射结构的反射率。抗反射导电层遮蔽基板的反射结构。由于抗反射导电层遮蔽基板的反射结构,因此射向显示设备的大部分的外界光束会被抗反射导电层阻挡而不易被具有高反射率的基板的反射结构反射。由此,外界光束被反射的量小,而不易干扰使用者观看显示设备的微型发光二极管所发出的光束,进而使显示设备的显示效果佳。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所示附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示设备的俯视示意图;
图2为本发明一实施例的一个发光二极管的剖面示意图;
图3为本发明另一实施例的显示设备的俯视示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的