[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底中的掺杂区，所述掺杂区具有与所述半导体衬底相反的导电类型；

所述掺杂区中的电容器，所述电容器包括多个电极并且所述多个电极彼此绝缘；

安置在所述多个电极中的一个上的第一电介质；以及

在所述电容器内延伸并被所述第一电介质包围的多层结构，其中所述多层结构包括接触所述第一电介质并暴露所述第一电介质的一部分的第二电介质。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层结构进一步包含被所述第二电介质包围的导电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层结构与所述多个电极电绝缘。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层结构电耦合到所述多个电极中的一个。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层结构进一步包含与所述多个电极中的一个相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个电极中的每一个在所述半导体衬底的顶表面的一部分上延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述掺杂区与所述多个电极中的一个电绝缘。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括互连结构，所述互连结构包括分别电耦合到所述掺杂区和所述多个电极中的每一个的多个导电通孔。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层结构进一步包括钨。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层结构具有约20至约80的高宽比。

11.一种半导体结构，其包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底中的掺杂区，所述掺杂区具有与所述半导体衬底的导电类型相反的导电类型；

所述掺杂区中的电容器，所述电容器包括至少一个电极；

内衬于所述至少一个电极的侧壁上的电介质；以及

被所述电介质和所述至少一个电极横向包围的间隔件，所述间隔件具有底部接触所述电介质的第一部分并暴露所述电介质的第二部分。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述间隔件包括电介质材料。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述至少一个电极由多晶硅或导电材料制成。

14.一种半导体结构，其包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底中的掺杂区，所述掺杂区具有与所述半导体衬底的导电类型相反的导电类型；

位在所述掺杂区中的电容器，其包括：

所述掺杂区中的第一电极；以及

在所述掺杂区中并且部分地包围所述第一电极的第二电极；

覆盖所述第一电极的第一介电层；以及

被所述第一介电层横向包围的间隔件，所述间隔件接触所述第一介电层的侧壁并限定暴露所述第一介电层的底部开口。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述电容器进一步包括使所述第一电极和所述第二电极电绝缘的第二介电层。

16.根据权利要求14所述的半导体结构，其进一步包括被所述间隔件横向包围的第三介电层。

17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中所述第三介电层与所述第一介电层的底部物理接触。

18.根据权利要求14所述的半导体结构，其进一步包括被所述间隔件横向包围的芯部分。