[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其包括半导电衬底和半导电衬底中的掺杂区。掺杂区具有与半导电衬底相反的导电类型。半导体结构还包含掺杂区中的电容器，其中电容器包括多个电极并且多个电极彼此绝缘。半导体结构进一步包含电容器中的并且被多个电极包围的插塞。

技术领域

背景技术

包括半导体装置的电子设备对于许多现代应用是必不可少的。材料和设计方面的技术进步产生了许多代半导体装置，每代的电路都比前一代更小并且更复杂。在进步和创新过程中，功能密度(即，每个芯片区域的互连装置的数目)总体上增加，同时几何大小(即，可使用制造过程产生的最小组件)减少。这样的进步增加了处理和制造半导体装置的复杂度。

在现代的集成电路(IC)制造中，芯片上电容器可供用于大量应用，例如动态随机存取存储器(DRAM)、电压控制振荡器和运算放大器。所述电容器可以用于提供电路与芯片其余部分产生的不期望干扰或噪声之间的解除关联。

电容器通常设计成具有高的高宽比以便实现高密度布局。然而，随着芯片逐渐制造得更薄，含有芯片的晶片的硬度和稳固性可能更容易受损，因为晶片连同嵌入特征未能提供充分的耐应力性能。因此，需要一种电容器的改进的结构和制造方法。

发明内容

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式最好地理解本发明实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增加或减小各种特征的尺寸。

图1A是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意图。

图1B是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意图。

图1C是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意图。

图2A-2T是根据本发明的一些实施例的制造半导体结构的示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本揭示内容。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性。例如，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示内容可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

另外，本文中为易于描述而使用例如“在……下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”等等的空间相对术语，以描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图式中所描绘的定向以外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。

近年来，芯片上电容器的设计和制造经历了快速进展。此包含高级半导体电路和装置中常见的深沟槽电容器的开发。此些深沟槽电容器通常设计成包括折叠和延伸的电极和绝缘电介质材料，以便用减小的裸片区域提供增加的电容。因此，在电容器内形成沟槽。随着电容要求增加，电容器深度与电容器宽度(也称为高宽比)的比率将相应地放大，因此所形成的沟槽将变得更深。此外，更深的沟槽将沿着晶片的厚度方向而非水平方向寻找更多空间。