[发明专利]具有双沟道的半导体器件、互补半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有双沟道的半导体器件，包括：

第一部分和第二部分，共享从衬底的第一表面朝向与所述第一表面相对的第二表面延伸的掩埋栅极柱，其中：

所述第一部分嵌入在所述衬底内并且还包括：

第一栅极介电层，位于所述掩埋栅极柱的第一侧壁和所述衬底之间并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸；和

第一掺杂区域集，位于所述第一栅极介电层旁边并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中，在所述第一栅极介电层和所述第一掺杂区域集之间的所述衬底中提供第一沟道；以及

所述第二部分嵌入在所述衬底内并且还包括：

第二栅极介电层，位于所述掩埋栅极柱的第二侧壁和所述衬底之间并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸；以及

第二掺杂区域集，位于所述第二栅极介电层旁边并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中，在所述第二栅极介电层和所述第二掺杂区域集之间的所述衬底中提供第二沟道。

2.根据权利要求1所述的具有双沟道的半导体器件，其中，所述第一掺杂区域集和所述第二掺杂区域集布置为阵列。

3.根据权利要求2所述的具有双沟道的半导体器件，其中，

所述第一掺杂区域集包括沿着第一方向布置的第一源极区域和第一漏极区域，以及

所述第二掺杂区域集包括沿着所述第一方向布置的第二源极区域和第二漏极区域，

其中，所述第一源极区域和所述第二源极区域沿着第二方向布置，并且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域沿着所述第二方向布置。

4.根据权利要求3所述的具有双沟道的半导体器件，还包括：

介电结构，沿着所述第一方向布置、位于所述掩埋栅极柱的第三侧壁和第四侧壁旁边，并且将所述第一掺杂区域集和所述第二掺杂区域集分隔开。

5.根据权利要求3所述的具有双沟道的半导体器件，还包括位于所述阵列旁边的隔离结构。

6.根据权利要求3所述的具有双沟道的半导体器件，其中，所述第一掺杂区域集和所述第二掺杂区域集掺杂有相同导电类型的掺杂剂。

7.一种互补半导体器件，包括：

第一金属氧化物半导体器件，具有第一导电类型的并且嵌入在衬底中的第一沟道和第二沟道，其中，所述第一沟道和所述第二沟道位于第一掩埋栅极柱的两侧处的衬底中，并且所述第一掩埋栅极柱从所述衬底的第一表面朝向与所述第一表面相对的第二表面延伸；

第二金属氧化物半导体器件，具有第二导电类型的并且嵌入在所述衬底中的第三沟道和第四沟道，其中，所述第三沟道和所述第四沟道位于第二掩埋栅极柱的两侧处的所述衬底中，并且所述第二掩埋栅极柱从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸。

8.根据权利要求7所述的互补半导体器件，其中，所述第一金属氧化物半导体包括共享所述第一掩埋栅极柱的第一部分和第二部分，

所述第一部分包括：

所述第一掩埋栅极柱；

第一栅极介电层，位于所述第一掩埋栅极柱的第一侧壁和所述衬底之间并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸；和

所述第一导电类型的第一掺杂区域集，位于所述第一栅极介电层旁边并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中，在所述第一栅极介电层和所述第一掺杂区域集之间的所述衬底中提供所述第一沟道；以及

所述第二部分包括：

所述第一掩埋栅极柱；

第二栅极介电层，位于所述第一掩埋栅极柱的第二侧壁和所述衬底之间并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸；和

所述第一导电类型的第二掺杂区域集，位于所述第二栅极介电层旁边并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中，在所述第二栅极介电层和所述第二掺杂区域集之间的所述衬底中提供所述第二沟道。