[发明专利]浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法和浮栅型闪存的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成一电子通道层和一电子存储层；

在所述电子存储层上形成图形化的光阻层；

以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀所述电子存储层、电子通道层和部分半导体衬底，形成若干沟槽，再去除所述图形化光阻层；

在所述沟槽内填充绝缘材料，所述绝缘材料覆盖所述电子存储层；

采用化学机械研磨工艺去除所述电子存储层上的绝缘材料，形成浅沟槽隔离浮栅结构。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有一外延层，所述电子通道层形成于所述外延层上。

3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述外延层为P型掺杂外延层。

4.如权利要求2所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽贯穿所述电子存储层、电子通道层和部分外延层。

5.如权利要求2所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底中形成有一阱区。

6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述阱区通过P型离子注入的方式形成。

7.如权利要求5所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，一部分的沟槽贯穿所述电子存储层、电子通道层、阱区和部分外延层，另一部分沟槽贯穿所述电子存储层、电子通道层和部分外延层。

8.如权利要求1～7中任一项所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型掺杂衬底。

9.如权利要求1～7中任一项所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述电子通道层的材质为氧化物。

10.如权利要求1～7中任一项所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述电子存储层的材质为多晶硅。

11.如权利要求1～7中任一项所述的浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘材料通过高深宽比沉积工艺或者高密度电浆沉积工艺沉积。

12.一种浮栅型闪存的制作方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1～11中任一项所述的方法形成浅沟槽隔离浮栅结构。