[发明专利]改善晶片表面平坦均匀性的方法

权利要求书

1.一种改善晶片表面平坦均匀性的方法，包含有：

提供一晶片，其上具有第一区域及第二区域，其中该第一区域与该第二区域具有不同的图案密度；

在该晶片上形成一导电层，该导电层包括低于该导电层的上表面的凹陷结构，形成该导电层的步骤包含：在该晶片上沉积一第一导电层；以及在该第一导电层上沉积一第二导电层，其中该第二导电层的阻值小于该第一导电层的阻值；

在该导电层上形成一单层的缓冲层，该缓冲层填充该凹陷结构的部分的表面高于该导电层的该上表面；

以该导电层为研磨停止层对该缓冲层进行一次研磨制作工艺，直到显露出该导电层；以及

进行一蚀刻制作工艺，蚀刻掉部分的该导电层与剩余的该缓冲层。

2.如权利要求1所述的改善晶片表面平坦均匀性的方法，其中该缓冲层包含氮化钛。

3.如权利要求2所述的改善晶片表面平坦均匀性的方法，其中该导电层包含钨。

4.如权利要求3所述的改善晶片表面平坦均匀性的方法，其中该蚀刻制作工艺对该导电层与该剩余的该缓冲层有相同的蚀刻速率。

5.如权利要求1所述的改善晶片表面平坦均匀性的方法，其中该研磨制作工艺为一化学机械研磨制作工艺。

6.如权利要求1所述的改善晶片表面平坦均匀性的方法，其中该第一导电层为化学气相沉积钨金属层，该第二导电层为物理气相沉积钨金属层。

7.如权利要求1所述的改善晶片表面平坦均匀性的方法，其中在进行该蚀刻制作工艺之后，另包含：

图案化该导电层，在该第一区域形成多个接触垫图案。