[发明专利]改善晶片表面平坦均匀性的方法

说明书

本发明公开一种改善晶片表面平坦均匀性的方法。首先提供一晶片，其上具有一第一区域及一第二区域。第一区域与第二区域具有不同的图案密度。再于晶片上形成一导电层，然后于导电层上形成一缓冲层。接着，对缓冲层进行一研磨制作工艺，直到显露出导电层。再进行一蚀刻制作工艺，蚀刻掉部分的导电层与剩余的缓冲层。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺技术，特别是涉及一种改善晶片表面平坦均匀性的方法。

背景技术

随着半导体集成电路技术不断地改进，半导体芯片具有更小且更复杂的电路设计。由于产品创新的要求，每个芯片区域中的功能器件的数量和密度不断增加。

半导体芯片中包括许多的半导体电子元件，例如，晶体管，通过内连线结构进行互连，构成完整的功能电路。

由于晶片表面上有许多不同的结构图案，图案密度的差异使得沉积于晶片表面上的材料层产生表面平坦均匀性不佳的问题，进而影响到元件的电性表现。因此，该技术领域仍需要一种改良的方法，可以解决上述问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种改善晶片表面平坦均匀性的方法，以解决先前技术的不足与缺点。

本发明公开一种改善晶片表面平坦均匀性的方法。首先提供一晶片，其上具有一第一区域及一第二区域。第一区域与第二区域具有不同的图案密度。再于晶片上形成一导电层，例如钨，然后于导电层上形成一缓冲层，例如氮化钛。接着，对缓冲层进行一研磨制作工艺，直到显露出导电层。再进行一蚀刻制作工艺，蚀刻掉部分的导电层与剩余的缓冲层。接着，图案化导电层，在第一区域形成多个接触垫图案。

根据本发明一实施例，上述蚀刻制作工艺对导电层与剩余的缓冲层有相同的蚀刻速率。

附图说明

图1至图5为根据本发明一实施例所绘示的一种改善晶片表面平坦均匀性的方法。

其中，附图标记说明如下：

10 半导体晶片

101 第一区域

102 第二区域

110 间隙

112 间隙

120 导电层

120a 第一导电层

120b 第二导电层

121 凹陷结构

122 凹陷结构

130 缓冲层

130a 剩下的缓冲层

130b 剩下的缓冲层

220 接触垫图案

230 线路图案

具体实施方式

在本发明的以下详细描述中，所参考的附图也构成说明书的一部分，其例示出可具体实践本发明的实施例。这些实施例已描述足够的细节以使本领域的技术人员能够实践本发明。其它实施例可以被利用，并且可以做出结构，逻辑和电性上的变化而不脱离本发明的范围。下面的详细说明，因此，不被视为具有限制意义，并且本发明的范围是由所附权利要求而定。

在进一步的描述优选实施例之前，以下先针对全文中使用的特定用语进行说明。