[发明专利]封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201611198710.5 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN108231723B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 金立中;陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括焊垫区,所述焊垫区包括焊垫主体区和位于焊垫主体区周围的凹槽区,所述凹槽区和焊垫主体区邻接;所述焊垫区的基底表面形状为矩形;所述矩形具有两条相对的第一侧边和两条相对的第二侧边,所述第二侧边分别和第一侧边连接;所述焊垫主体区内还具有接触区,所述接触区的基底表面形状为圆形,且所述接触区的基底表面与所述第一侧边或第二侧边相切,所述凹槽区位于所述矩形顶角处;
主体焊垫,位于焊垫主体区基底上;
键合导电线,所述键合导电线的一端与所述接触区基底上的主体焊垫连接;
位于基底表面的钝化层,所述钝化层暴露出焊垫主体区和凹槽区;
位于凹槽区的凹槽,所述凹槽位于钝化层和主体焊垫之间。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽底部的基底表面低于或齐平于焊垫主体区的基底顶部表面。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽底部暴露出凹槽区基底表面。
4.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,还包括:位于凹槽底部基底表面的附加焊垫,所述附加焊垫的表面低于主体焊垫的顶部表面。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,当所述凹槽底部的基底表面低于焊垫主体区的基底顶部表面时,所述附加焊垫的顶部表面高于、低于或齐平于焊垫主体区的基底顶部表面。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述接触区和凹槽区之间具有最小距离,所述最小距离为1um~2um。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基底包括一个或多个焊垫区,各焊垫区包括一个焊垫主体区和位于一个焊垫主体区周围的一个或多个凹槽区。
8.一种封装结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底;
获取位于基底表面的焊垫主体区和凹槽区,所述凹槽区位于焊垫主体区周围,所述凹槽区和焊垫主体区邻接;
在所述焊垫主体区基底上形成主体焊垫;在形成所述主体焊垫之前,在所述基底表面形成钝化层,所述钝化层暴露出焊垫主体区和凹槽区;在形成所述主体焊垫的同时形成位于凹槽区的凹槽,所述凹槽位于钝化层和主体焊垫之间;
采用打线工艺形成键合导电线,所述键合导电线的一端与所述主体焊垫连接。
9.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述凹槽底部的基底表面齐平于焊垫主体区的基底顶部表面,且所述凹槽底部暴露出凹槽区基底表面;形成所述主体焊垫和凹槽的方法包括:在所述焊垫主体区基底和凹槽区基底上形成第一初始焊垫;去除凹槽区基底上的全部第一初始焊垫,形成主体焊垫的同时形成所述凹槽。
10.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述凹槽底部的基底表面齐平于焊垫主体区的基底顶部表面;所述封装结构的形成方法还包括:在形成所述主体焊垫和凹槽的过程中形成附加焊垫,所述附加焊垫位于凹槽底部基底表面,且所述附加焊垫的表面低于主体焊垫的顶部表面;形成所述主体焊垫、凹槽和附加焊垫的方法包括:在所述焊垫主体区基底和凹槽区基底上形成第一初始焊垫;去除凹槽区基底上部分厚度的第一初始焊垫,形成主体焊垫,同时形成所述附加焊垫和所述凹槽。
11.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述凹槽底部的基底表面低于焊垫主体区的基底顶部表面;所述封装结构的形成方法还包括:在形成所述主体焊垫和凹槽的过程中形成附加焊垫,所述附加焊垫位于凹槽底部基底表面,且所述附加焊垫的表面低于主体焊垫的顶部表面;形成所述主体焊垫、凹槽和附加焊垫的方法包括:在所述凹槽区的基底中形成初始凹槽;在所述初始凹槽中以及焊垫主体区基底上形成第二初始焊垫,在形成主体焊垫的同时形成所述附加焊垫和所述凹槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611198710.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高密度表贴式半导体集成电路的集成方法
- 下一篇:半导体结构及其制造方法