[发明专利]具有抗静电结构的封装结构在审
| 申请号： | 201611199503.1 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106816432A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谢明哲 | 申请（专利权）人： | 创智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人： | 孙皓晨,李林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 抗静电 结构 封装 | ||
1.一种具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，包括：
一基板，其上具有一体成形的至少一凹槽，且在该凹槽周围的该基板上设有至少一导电柱；
至少一连接垫，位于该基板下表面且电性连接该至少一导电柱；以及
至少一抗静电线路，其位于该凹槽周围的该基板上，该至少一抗静电线路经由该至少一导电柱电性连接该至少一连接垫。
2.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该基板是绝缘基板。
3.根据权利要求2所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该绝缘基板是陶瓷基板。
4.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该至少一抗静电线路是一封闭线路。
5.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该至少一抗静电线路具有至少一开口。
6.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，还包括至少一晶片，其安装于该基板的该至少一凹槽内，并与该基板形成电性连接，该至少一抗静电线路接触该晶片。
7.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该至少一抗静电线路是金属线路。
8.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该导电柱是梯形体、倒梯形体、圆柱体、长方体或者锥形体的形状。
9.根据权利要求1所述的具有抗静电结构的封装结构，其特征在于，该至少一抗静电线路突出该基板表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创智能科技股份有限公司，未经创智能科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611199503.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电磁屏蔽封装结构及其制造方法
- 下一篇：一种多晶硅高阻的制造方法
