[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

基于第一处理设定使衬底处理装置内的多个处理装置动作来处理衬底的工序；

在进行所述处理时控制部获取所述多个处理装置的每一个处理装置的测定值的工序；

所述控制部从存储装置和网络的某一个读出与所述第一处理设定对应且包括所述处理装置的处理室内压力、高频电力、行波电力及发射波电力中的至少任一个的所述测定值的评估系数，并基于与所述评估系数和多个所述测定值来生成所述处理装置的第一评估数据的工序；

基于所述第一评估数据计算出所述多个处理装置的点数值，基于所述点数值判定在所述多个处理装置的每一个处理装置中可执行的一个以上的配方项目的工序；以及

报告所述一个以上的配方项目的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述衬底处理装置中设置有多个所述处理装置，

所述半导体器件的制造方法还具有以多个所述处理装置的每一个处理装置报告所述一个以上的配方项目的工序。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述衬底处理装置中设置有多个处理组件，所述处理组件具有多个所述处理装置，

所述半导体器件的制造方法还具有以下工序：在各所述处理装置中报告所述一个以上的配方项目内的、共同的配方项目的工序。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入所述评估系数的工序。

5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入所述评估系数的工序。

6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入所述评估系数的工序。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有基于从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入的第二评估数据和所述第一评估数据来变更所述评估系数的工序，其中，所述第二评估数据针对的参数与所述第一评估数据针对的参数对应。

8.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有基于从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入的第二评估数据和所述第一评估数据来变更所述评估系数的工序，其中，所述第二评估数据针对的参数与所述第一评估数据针对的参数对应。

9.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有基于从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入的第二评估数据和所述第一评估数据来变更所述评估系数的工序，其中，所述第二评估数据针对的参数与所述第一评估数据针对的参数对应。

10.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述第一评估数据的工序中，具有基于从经由网络与所述控制部连接的上位装置向所述衬底处理装置输入的第二评估数据和所述第一评估数据来变更所述评估系数的工序，其中，所述第二评估数据针对的参数与所述第一评估数据针对的参数对应。

11.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

具有使所述处理的工序、获取所述测定值的工序和生成所述第一评估数据的工序反复执行的工序。