[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效

申请号：	201611199562.9	申请日：	2016-12-22
公开（公告）号：	CN107871683B	公开（公告）日：	2022-06-21
发明（设计）人：	中山雅则;寺崎正	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	陈伟;王娟娟
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法衬底处理装置
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【说明书】：

本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，其技术课题为提高每个衬底的处理均匀性。半导体器件的制造方法具有：基于第一处理设定使处理装置动作来处理衬底的步骤；在进行处理时获取处理装置的装置数据的步骤；基于与第一处理设定对应的评估系数和装置数据来生成处理装置的第一评估数据的步骤；基于第一评估数据来判定在处理装置中可执行的配方项目的步骤；以及报告配方项目的步骤。

技术领域

本发明公开涉及记录介质、程序、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。

背景技术

随着以大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit，下称“LSI”)、DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等为代表的半导体器件的高度集成化，正在推进电路图案和制造过程中形成的构造物的精细化。在进行半导体器件的制造工序中的一个工序的衬底处理装置中，通过蓄存的监视数据进行FDC(Fault DetectionClassification：故障检测与分类)，确认装置的健全性，并通过警报通知其异常，由此防止不合格生产。例如，专利文献1中有所记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－216697

发明内容

具有以下问题：即使装置各自的监视值落入基准值内也会因装置的个体差异而导致每个衬底的处理结果不均匀。

于是，在本发明公开中提供能够提高每个衬底的处理均匀性的技术。

根据一个方案，提供具有以下步骤的技术：基于第一处理设定使处理装置动作来处理衬底的步骤；在进行处理时获取处理装置的装置数据的步骤；基于与第一处理设定对应的评估系数和装置数据来生成处理装置的第一评估数据的步骤；基于第一评估数据来判定在处理装置中可执行的配方项目的步骤；以及报告配方项目的步骤。

发明效果

根据本发明公开的技术，能够提高每个衬底的处理均匀性。

附图说明

图1是一个实施方式的衬底处理系统的横截面的概要图。

图2是一个实施方式的衬底处理系统的纵截面的概要图。