[发明专利]静态随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造包括多个静态随机存取存储器(SRAM)单元的静态随机存取存储器的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一伪图案，第一掩模层、第二掩模层和第三掩模层顺序形成在所述衬底上；

在所述第一伪图案的侧壁上形成中间伪图案，以填充所述第一伪图案之间的间隔；

去除所述第一伪图案，从而留下位于所述衬底的第三掩模层上方的中间伪图案；

通过使用所述中间伪图案来图案化所述第三掩模层；

通过使用图案化的第三掩模层来图案化所述第二掩模层，从而形成第二伪图案；

在所述第二伪图案的侧壁上形成侧壁间隔件层；

去除所述第二伪图案，从而留下所述侧壁间隔件层以作为所述衬底上方的硬掩模图案；

通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述第一掩模层；以及

通过使用图案化的第一掩模层作为蚀刻掩模来图案化所述衬底，其中：

在平面图中，所述多个静态随机存取存储器单元的每一个都被单元边界限定，并且

在平面图中，在所述多个静态随机存取存储器单元的每一个的所述单元边界内，仅包括两个第一伪图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述两个第一伪图案具有彼此相同的尺寸。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述单元边界内以均匀的间距布置所述硬掩模图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一伪图案由多晶硅制成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模层包括氮化硅和设置在所述氮化硅上的氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二伪图案由氮化硅基材料制成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述侧壁间隔件层由氧化硅基材料制成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第二伪图案包括：

在所述第一伪图案上方形成用于所述第二伪图案的毯式层；以及

去除设置在所述第一伪图案的上表面上方的毯式层的一部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述侧壁间隔件层包括：

在所述第二伪图案上方形成用于所述侧壁间隔件层的毯式层；以及

在所述毯式层上执行各向异性蚀刻，从而在所述第二伪图案的侧壁上留下所述侧壁间隔件层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括，在所述去除所述第二伪图案之后并且在图案化所述衬底之前，去除所述侧壁间隔件层的额外的部分。