[发明专利]一种像素结构及液晶显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

多条扫描线、多条数据线以及所述扫描线与数据线限定的多个像素单元，每个所述像素单元包括主区以及子区；

所述主区包括第一薄膜晶体管、第一存储电容以及第一液晶电容，所述第一薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与相应的所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容以及所述第一液晶电容连接；

所述子区包括第二薄膜晶体管、第二存储电容以及第二液晶电容，所述第二薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与相应的所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及所述第二液晶电容连接；其中，

所述第一存储电容与所述第一液晶电容的比值以及所述第二存储电容与所述第二液晶电容的比值均介于1.0-1.5之间。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括公共线，所述子区还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共线连接，其中，所述第三薄膜晶体管的导电沟道的长宽比值介于3.0-4.0之间。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括公共电极，所述主区包括主区像素电极，所述主区像素电极与所述公共电极相互正对以形成所述第一液晶电容，所述主区像素电极与所述公共线相互正对以形成所述第一存储电容。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述子区包括子区像素电极，所述子区像素电极与所述公共电极相互正对以形成所述第二液晶电容，所述子区像素电极与所述公共线相互正对以形成所述第二存储电容。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素单元为红色像素单元、绿色像素单元或蓝色像素单元。

6.一种液晶显示装置，其特征在于，包括像素结构，所述像素结构包括：

多条扫描线、多条数据线以及所述扫描线与数据线限定的多个像素单元，每个所述像素单元包括主区以及子区；

所述主区包括第一薄膜晶体管、第一存储电容以及第一液晶电容，所述第一薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与相应的所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容以及所述第一液晶电容连接；

所述子区包括第二薄膜晶体管、第二存储电容以及第二液晶电容，所述第二薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与相应的所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及所述第二液晶电容连接；其中，

所述第一存储电容与所述第一液晶电容的比值以及所述第二存储电容与所述第二液晶电容的比值均介于1.0-1.5之间。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素结构还包括公共线，所述子区还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共线连接，其中，所述第三薄膜晶体管的导电沟道的长宽比值介于3.0-4.0之间。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素结构还包括公共电极，所述主区包括主区像素电极，所述主区像素电极与所述公共电极相互正对以形成所述第一液晶电容，所述主区像素电极与所述公共线相互正对以形成所述第一存储电容。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述子区包括子区像素电极，所述子区像素电极与所述公共电极相互正对以形成所述第二液晶电容，所述子区像素电极与所述公共线相互正对以形成所述第二存储电容。

10.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素单元为红色像素单元、绿色像素单元或蓝色像素单元。