[发明专利]封装基板及其制作工艺、半导体元件封装结构及制作工艺

权利要求书

1.一种封装基板，用于组装半导体元件，该封装基板包括：

介电层，具有上表面以及下表面；以及

第一导电层，内埋于该介电层的上表面与该介电层的下表面之间，该第一导电层具有一第一表面，该第一表面完全曝露并内凹于该介电层的上表面；

其中，该第一导电层具有至少一凹穴，该凹穴位于该第一导电层的预定部分处，该凹穴的宽度与该第一导电层的预定部分处的宽度相同，以使该凹穴的至少两侧壁被该介电层限制，该凹穴的开口与该介电层的该上表面齐平，且对应于该半导体元件上的导电凸块。

2.如权利要求1所述的封装基板，其中该第一导电层包括多条相邻的线路，内埋于该介电层的上表面。

3.如权利要求1所述的封装基板，还包括多个导电层，内埋于该介电层中，并位于该介电层的上表面与该介电层的下表面之间，其中该多个导电层包括该第一导电层并以自上而下的堆叠方式形成一连接结构，以连接该介电层的上表面至该介电层的下表面。

4.如权利要求1所述的封装基板，还包括一环形补强结构，连接于该介电层的周围，该环形补强结构具有至少一开口，以曝露该介电层的上表面以及该第一导电层的第一表面。

5.一种封装基板，用于组装半导体元件，该封装基板包括：

介电层，具有上表面以及下表面；以及

第一导电层，内埋于该介电层的上表面与该介电层的下表面之间，该第一导电层具有一第一表面，该第一表面完全曝露并切齐于该介电层的上表面；以及

其中，该第一导电层具有至少一凹穴，该凹穴位于该第一导电层的预定部分处，该凹穴的宽度与该第一导电层的预定部分处的宽度相同，以使该凹穴的至少两侧被该介电层限制，该凹穴的开口与该介电层的该上表面齐平，且对应于该半导体元件的导电凸块。

6.如权利要求5所述的封装基板，还包括多个导电层，内埋于该介电层中，并位于该介电层的上表面与该介电层的下表面之间，其中该多个导电层包括该第一导电层并以自上而下的堆叠方式形成一连接结构，以连接该介电层的上表面至该介电层的下表面。

7.如权利要求5所述的封装基板，还包括一环形补强结构，连接于该介电层的周围，该环形补强结构具有至少一开口，以曝露该介电层的上表面以及该第一导电层的第一表面。

8.如权利要求1或5所述的封装基板，还包括至少一接合垫，设置于该凹穴内。

9.如权利要求8所述的封装基板，其中该接合垫为可回焊的焊接材料，该可回焊的焊接材料在高温下融化，以使该接合垫限制于该凹穴内。

10.一种半导体元件的封装结构，包括：

介电层，具有上表面以及下表面；

第一导电层，内埋于该介电层的上表面与该介电层的下表面之间，该第一导电层具有一第一表面，该第一表面完全曝露并内凹于该介电层的上表面，其中，该第一导电层具有至少一凹穴，该凹穴位于该第一导电层的预定部分处，该凹穴的宽度与该第一导电层的预定部分处的宽度相同，以使该凹穴的至少两侧壁被该介电层限制；

半导体元件，设置于该介电层的上表面，该半导体元件具有至少一导电凸块，该导电凸块连接该第一导电层并对应于该第一导电层的该凹穴；以及

底胶层，设置于该半导体元件与该介电层的上表面之间，该底胶层覆盖曝露的该第一导电层且包覆该导电凸块。

11.如权利要求10所述的半导体元件的封装结构，其中该第一导电层包括多条相邻的线路，内埋于该介电层的上表面。

12.如权利要求10所述的半导体元件的封装结构，还包括多个导电层，内埋于该介电层中，并位于该介电层的上表面与该介电层的下表面之间，其中该多个导电层包括该第一导电层并以自上而下的堆叠方式形成一连接结构，以连接该介电层的上表面至该介电层的下表面。