[发明专利]锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器

权利要求书

1.一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于包括基底层（1）、二氧化硅层（2）、右侧矩形二硫化钼薄膜（3）、右侧锯齿形二硫化钼薄膜（4）、中间锯齿形二硫化钼薄膜（5）、左侧锯齿形二硫化钼薄膜（6）、左上矩形二硫化钼薄膜（7）、左下矩形二硫化钼薄膜（8）、信号输入端（9）、第一信号输出端（10）、第二信号输出端（11）；基底层（1）的顶部表面铺有二氧化硅层（2），二氧化硅层（2）的顶部表面铺有右侧矩形二硫化钼薄膜（3）、右侧锯齿形二硫化钼薄膜（4）、中间锯齿形二硫化钼薄膜（5）、左侧锯齿形二硫化钼薄膜（6）、左上矩形二硫化钼薄膜（7）、左下矩形二硫化钼薄膜（8），右侧锯齿形二硫化钼薄膜（4）、中间锯齿形二硫化钼薄膜（5）和左侧锯齿形二硫化钼薄膜（6）自右向左顺序排列，右侧锯齿形二硫化钼薄膜（4）和左侧锯齿形二硫化钼薄膜（6）上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，中间锯齿形二硫化钼薄膜（5）上下各等距离分布四个矩形开槽形状大小相同的矩形开槽，右侧锯齿形二硫化钼薄膜（4）的右端与右侧矩形二硫化钼薄膜（3）的左端相连，左侧锯齿形二硫化钼薄膜（6）的左端与左上矩形二硫化钼薄膜（7）和左下矩形二硫化钼薄膜（8）的右端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜（3）的右端与二氧化硅层（2）的右端相连，左上矩形二硫化钼薄膜（7）和左下矩形二硫化钼薄膜（8）的左端与二氧化硅层（2）的左端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜（3）的右端设有第一信号输出端（10），左上矩形二硫化钼薄膜（7）的左端设有信号输入端（9），左下矩形二硫化钼薄膜（8）的左端设有第二信号输出端（11）；在二硫化钼薄膜与基底层之间加载偏置直流电压。

2.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的基底层（1）的材料为P型硅材料，长度为16~18μm，宽度为6~8μm，厚度为2~4μm。

3.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的二氧化硅层（2）的长度为16~18μm，宽度为6~8μm，厚度为2~4μm。

4.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的右侧矩形二硫化钼薄膜（3）的长度均为6~8μm，宽度均为1~2μm。

5.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的右侧锯齿形二硫化钼薄膜（4）和左侧锯齿形二硫化钼薄膜（6）中锯齿形二硫化钼薄膜的长度均为6~8μm，宽度均为2~3μm，矩形开槽的长度均为6~8μm，宽度均为2~3μm。

6.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的中间锯齿形二硫化钼薄膜（5）上下各等距离分布四个形状大小相同的矩形开槽，其中锯齿形二硫化钼薄膜的长度均为6~8μm，宽度均为2~3μm，矩形开槽的长度均为6~8μm，宽度均为2~3μm。

7.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的左上矩形二硫化钼薄膜（7）的长度均为6~8μm，宽度均为0.8~1.5μm。

8.根据权利要求1所述的一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于所述的左下矩形二硫化钼薄膜（8）的长度均为6~8μm，宽度均为0.5~1μm。