[发明专利]一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，其具体制备步骤为：(1)将氧化锌与二氧化钛混合置入球磨机中，并加入等质量的纯水，球磨后取出置入真空烘箱中烘干；(2)将配制好的玻璃粉与步骤(1)中处理好的混合料混合后进行充分搅拌，再置入真空烘箱中烘烤；(3)将步骤(2)中处理好的混合料均匀投入有机载料中，混匀搅拌后，再密闭超声后得到气敏浆料；本发明的有益效果是：采用配方、工艺参数设计合理，制备出的气敏浆料均匀，用该气敏浆料制备的半导体气敏元件敏感度高，各项性能优异。

技术领域

本发明涉及半导体元件制备技术领域，特别是一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法。

背景技术

半导体气敏元件由于具有灵敏度高、响应时间和恢复时间短、使用寿命长及成本低等优点，被广泛应用于检测各种有害气体、可燃气体、工业废气和环境污染气体。气敏元件是检测环境气氛中某种(或某类)气体存在及其含量的基础。气敏元件性能与敏感材料的种类、结构及制作工艺密切相关。

在制备半导体气敏元件时，气敏浆料的制备过程至关重要，直接影响气敏元件性能的好坏，然而大多制备方法制备的气敏浆料并不能满足器件的要求，制备出的气敏元件敏感度较低。

发明内容

本发明的目的是为解决现有技术中的问题，公开了一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法。

为实现上述目的，本发明公开了一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，主要组分及所占比例为：氧化锌40％、二氧化钛30％、玻璃粉5％、有机载料25％，其具体制备步骤为：

(1)将氧化锌与二氧化钛混合置入球磨机中，并加入等质量的纯水，球磨5-7小时后，取出置入真空烘箱中烘干20-30分钟，烘干温度设定为140-160℃；

(2)将配制好的玻璃粉与步骤(1)中处理好的混合料混合后进行充分搅拌，搅拌时间为20-30分钟，再置入真空烘箱中烘烤30-40分钟，烘烤温度设定为200-220℃；

(3)将步骤(2)中处理好的混合料均匀投入有机载料中，混匀搅拌10-15分钟后，再密闭超声20-25分钟后得到气敏浆料。

其中所述玻璃粉组分及质量百分比为：氧化锆60％，氧化铅15％，二氧化硅15％，三氧化钼10％。

其中所述有机载料组分及质量百分比为：丁酸丁基卡必醇87％、聚甲基丙烯酸脂9％、丁醛树脂4％。

本发明的优点和积极效果是：

本发明方法采用配方、工艺参数设计合理，制备出的气敏浆料均匀，用该气敏浆料制备的半导体气敏元件敏感度高，各项性能优异。

具体实施方式

具体实施例一：

一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，主要组分及所占比例为：氧化锌40％、二氧化钛30％、玻璃粉5％、有机载料25％，其具体制备步骤为：

(1)将氧化锌与二氧化钛混合置入球磨机中，并加入等质量的纯水，球磨5小时后，取出置入真空烘箱中烘干20分钟，烘干温度设定为140℃；

(2)将配制好的玻璃粉与步骤(1)中处理好的混合料混合后进行充分搅拌，其中玻璃粉组分及质量百分比为：氧化锆60％，氧化铅15％，二氧化硅15％，三氧化钼10％，搅拌时间为20分钟，再置入真空烘箱中烘烤30分钟，烘烤温度设定为200℃；

(3)将步骤(2)中处理好的混合料均匀投入有机载料中，其中有机载料组分及质量百分比为：丁酸丁基卡必醇87％、聚甲基丙烯酸脂9％、丁醛树脂4％，混匀搅拌10分钟后，再密闭超声20分钟后得到气敏浆料。

具体实施例二：