[发明专利]一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽式超势垒整流器件，包括：第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上表面的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上表层中的第一沟槽，填充所述第一沟槽的导电多晶硅，形成于所述第一沟槽与导电多晶硅之间的栅绝缘层，相邻第一沟槽之间的第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区，位于所述第一导电类型外延层上部且与第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅接触的金属电极，其特征在于：所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区，所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离，且所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度。

2.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第一沟槽底部周围形成第二导电类型副注入层。

3.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型增强区多子浓度高于第一导电类型外延层多子浓度。

4.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型增强区与金属电极接触。

5.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

6.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型外延层材料为硅、碳化硅或锗硅。

7.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述金属电极材料为铜、铝或金。

8.一种沟槽式超势垒整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供第一导电类型衬底，并且在所述第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层，刻蚀第一导电类型外延层形成第一沟槽；

(2)在所述第一沟槽内形成栅绝缘层，并沉积导电多晶硅，填充第一沟槽；

(3)对相邻第一沟槽之间的第一导电类型外延层进行掺杂，形成第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区；

(4)刻蚀第一导电类型注入区以及第二导电类型注入区，形成第二沟槽；

(5)在所述第二导电类型注入区下形成第二导电类型增强区；

(6)沉积金属电极，覆盖第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅。

9.如权利要求8所述的沟槽式超势垒整流器件的制造方法，其特征在于：形成栅绝缘层之前对第一沟槽底部进行掺杂，形成第二导电类型副注入层。

10.如权利要求8所述的沟槽式超势垒整流器件的制造方法，其特征在于：所述第二沟槽贯通第一导电类型注入区以及第二导电类型注入区。