[发明专利]晶片生成方法有效
| 申请号： | 201611224048.6 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107030905B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B28D5/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 生成 方法 | ||
1.一种晶片生成方法，从被称为42°旋转Y切锭的钽酸锂锭生成晶片，该42°旋转Y切锭具有相对于中心轴被垂直切断的端面并且具有与Y轴平行地形成的定向平面，其中，该Y轴与钽酸锂的晶体轴垂直，该中心轴被设定为相对于Y轴具有42°的旋转角，该晶片生成方法的特征在于，具有如下的工序：
改质层形成工序，从该钽酸锂锭的该端面将对于钽酸锂具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在深度相当于要生成的晶片的厚度的位置而照射激光光线，一边相对于激光光线对该钽酸锂锭相对地进行加工进给一边在该钽酸锂锭内部形成改质层；以及
晶片生成工序，在实施了该改质层形成工序之后，对该钽酸锂锭施加外力而将板状物从该钽酸锂锭剥离从而生成晶片，
当在该改质层形成工序中在钽酸锂锭内部形成改质层时，选择相对于定向平面呈0°的方向或呈90°的方向中的任意方向相对于激光光线对该钽酸锂锭相对地进行加工进给，在相对于定向平面呈0°的方向或呈90°的方向中的任意方向的情况下，产生比在相对于定向平面呈45°的方向或呈135°的方向上使激光光线相对地进行加工进给的情况下在纵向上延伸的任意裂纹短的纵向上的裂纹，并且产生比在相对于定向平面呈45°的方向或呈135°的方向上使激光光线相对地进行加工进给的情况下在横向上延伸的任意裂纹长的横向上的裂纹。
2.根据权利要求1所述的晶片生成方法，其中，
该晶片生成方法还具有如下的磨削步骤：对所生成的晶片的剥离面和该钽酸锂锭的剥离面进行磨削而使它们平坦化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611224048.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
