[发明专利]采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；

步骤02：在底部隔离层表面形成一层隔离层；

步骤03：在该层隔离层中刻蚀出一层通孔，并且在该层通孔中填充金属，从而得到该层的金属通孔；

步骤04：在完成步骤03的衬底上再形成一层隔离层；

步骤05，重复步骤03～04，直至形成N层隔离层，且在每层隔离层中形成有相应层的金属通孔，相邻的上层金属通孔和下层金属通孔一一对应且相连接；其中，N为整数且N≥2；

步骤06：在第N层隔离层表面和第N层金属通孔上形成顶部隔离层；

步骤07：刻蚀顶部隔离层，以暴露出位于第N隔离层表面和第N层金属通孔顶部，并且保留位于第N层隔离层上的相邻像素的交界处的顶部隔离层，从而形成顶部隔离结构；

步骤08：在暴露出的第N层金属通孔顶部形成金属电极(14)，从而形成仅位于第N层金属通孔顶部的金属电极(14)；

步骤09：在金属电极(14)和暴露的第N层隔离层表面形成量子点薄膜。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述步骤03中，在形成该层金属通孔之后，还包括：在该层隔离层表面和该层金属通孔顶部形成一层氮化硅隔离层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述步骤06中，在形成顶部隔离层之前，还包括：在所述第N层隔离层表面和所述第N层金属通孔顶部形成一层氮化硅保护层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤06之后且在所述步骤07之前还包括：在顶部隔离层中且在所述衬底边缘区域的第N层金属通孔上制备出焊盘结构。

5.根据权利要求4所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，制备出焊盘结构的过程具体包括：

首先，刻蚀在衬底边缘区域的第N层金属通孔上方的顶部隔离层，以在衬底边缘区域的第N层金属通孔上方的顶部隔离层中形成沟槽，从而形成焊盘隔离开口结构；其中，沟槽底部暴露出衬底边缘区域的第N层金属通孔顶部；

然后，在顶部隔离层表面和沟槽中沉积金属铝，并且，刻蚀金属铝，只保留沟槽中和沟槽上方的金属铝；其中，金属铝的顶部高出顶部隔离层表面。

6.根据权利要求5所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，在制备出焊盘结构之后，还包括：在顶部隔离层表面以及暴露的金属铝表面和侧壁形成氮化硅保护层；

在步骤08之后，且在步骤09之前，还包括：在所述金属铝的顶部的氮化硅保护层中刻蚀出开口，以暴露出部分金属铝的顶部。