[发明专利]一种功率器件栅极侧墙制备方法在审
| 申请号： | 201611226698.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783568A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 姚尧;杨鑫著;文高;蒋明明;谭真华;刘武平;李超伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 栅极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，包括：
步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；
步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；
步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；
步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。
2.如权利要求1所述功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，所述绝缘层为SiN层、SiON层或SiO2层。
3.如权利要求1或2所述功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为100nm～1000nm。
4.如权利要求1所述功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层为SiN层、SiON层或SiO2层。
5.如权利要求1或4所述功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层的厚度为50nm～2000nm。
6.如权利要求5所述功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层为PECVD、LPCVD或HPCVD沉积的绝缘保护层。
7.如权利要求6所述功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，所述功率器件主体为IGBT器件主体或VDMOS器件主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
