[发明专利]一种无基板半导体封装制造方法在审
| 申请号： | 201611227400.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242403A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吕香桦;刘植;钟金旻;洪根刚 | 申请（专利权）人： | 冠宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 刘云贵;金卫文 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属基板 无基板半导体封装 晶粒 置放区 图案 半导体晶粒 固化封装 封装胶 焊垫区 联机 导电 移除 置放 封装 制造 背面 | ||
1.一种无基板半导体封装的制造方法，其特征在于，包含：
提供金属基板，其具有厚度、第一表面与第二表面；
形成第一图案在该金属基板的该第一表面上，其中该第一图案具有图案厚度，且该第一图案包含晶粒置放区、导电联机区以及封装焊接区；
置放半导体晶粒于该晶粒置放区上；
形成封胶层在该金属基板的该第一表面、该第一图案以及该半导体晶粒上，其中该封胶层填满该第一图案与该半导体晶粒间的间隙；
移除该金属基板的该第二表面，以薄化该金属基板，使该第一图案的底部暴露出来。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
形成该第一图案的同时，形成第二图案在该金属基板的该第一表面上，其中该第二图案具有该图案厚度；
移除该金属基板的该第二表面时，同时使该第一图案与该第二图案的底部暴露出来，其中该第一图案与该第二图案电性绝缘。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该图案厚度与该金属基板该厚度比为1/5～1/10。
4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该第一图案与第二图案的总表面积与该金属基板的表面积比大于30％。
5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，移除该金属基板的该第二表面的方法以研磨方式。
6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，移除该金属基板的该第二表面的方法以蚀刻方式。
7.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该金属基板的材料包含，铜、铝、银或镍。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，当该第一图案的底部暴露出来时，该导电联机区、该封装焊接区与该晶粒置放区电性连接，该半导体晶粒以覆晶方式置于该晶粒置放区上，且该半导体晶粒的接合垫电性连接该晶粒置放区。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，当该第一图案的底部暴露出来时，该导电联机区与该封装焊接区电性连接，且该晶粒置放区与该导电联机区电性绝缘，该半导体晶粒的接合垫以打线方式电性连接至导线连接区。
10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成该第一图案与第二图案的方法包含微影蚀刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
