[发明专利]一种AlN SAW光电集成器件的制作方法

权利要求书

1.一种AlN SAW光电集成器件的制作方法，光电集成器件外延结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层，spacer1隔离层、沟道层、spacer2隔离层、δ掺杂层、势垒层、N⁺-GaAs层、腐蚀截至层、集电区、基区、发射区、帽层、器件隔离层和AlN层，其制作方法包括如下步骤：

步骤1：采用离子注入或刻蚀的方法，形成器件隔离，将所述外延结构分为4个相互隔离的区域；

步骤2：依次采用光刻、刻蚀、金属沉积、剥离工艺在第一个隔离区域内形成声表面波滤波器件；

步骤3：光刻、刻蚀第二个隔离区域的外延结构，刻蚀深度从AlN层深入集电区表面，留出集电区左侧贴近隔离器件部分形成HBT台面，在基区台面上腐蚀发射区和帽层两侧；

步骤4：腐蚀第三个隔离区域的AlN层、器件隔离层和帽层区域，刻蚀第三个区域内的基区一侧，深度至该区域集电区表面；

步骤5：腐蚀第四个隔离区域，腐蚀深度至该区域N⁺-GaAs层，并在该区域N⁺-GaAs层中间刻蚀凹槽，采用光刻，金属沉积，剥离，清洗工艺在凹槽内制作T型栅；

步骤6：在第二个隔离区域帽层上表面、基区两侧以及露出的集电区部分制作电极，形成异质结双极型晶体管器件；在第三个隔离区域基区上表面和露出的集电区表面制作电极，形成PN二极管限幅器器件；在第四个隔离区域内N⁺-GaAs层制作P型和N型电极，形成高电子迁移率晶体管器件。

2.根据权利要求1所述的AlN SAW光电集成器件的制作方法，其特征在于：所述δ掺杂层为二维Si掺杂，其掺杂浓度1×10¹¹~1×10¹² cm^-2。

3.根据权利要求1所述的AlN SAW光电集成器件的制作方法，其特征在于：所述SAW电极包含Al、Mo、Ni。