[发明专利]N型超晶格接触层的生长方法

权利要求书

1.一种N型超晶格接触层的生长方法，其特征在于，包括：

在衬底的上表面生长氮化镓GaN缓冲层；

在所述氮化镓GAN缓冲层上生长非掺杂氮化镓U-GaN层；

在所述非掺杂氮化镓U-GaN层上生长N型氮化镓N-GaN层；

在所述N型氮化镓N-GaN层上生长量子阱发光层MQW；

在所述量子阱发光层MQW上生长P型氮化镓P-GaN层；

在所述P型氮化镓P-GaN层上生长N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层，其中x大于等于0且小于1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层的厚度为3-25纳米。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层包括：甲硅烷SiH₄掺杂剂，所述SiH₄掺杂剂的掺杂浓度控制在1×10e²⁰cm^-3-1.2×10e²¹cm^-3之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层为N型(IN_0.15GA_0.85N/GaN)₃超晶格接触层，N型(IN_0.15GA_0.85N/GaN)₃超晶格接触层的厚度为15纳米，其中IN_0.15GA_0.85N超的厚度为2纳米，GaN的厚度为3纳米，所述SiH₄掺杂剂的擦在浓度为1.2×10e²¹cm^-3。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层为N型(IN_0.1GA_0.9N/GaN)₄超晶格接触层，N型(IN_0.1GA_0.9N/GaN)₄超晶格接触层的厚度为16纳米，其中N型IN_0.1GA_0.9N的厚度为2纳米，GaN的厚度为2纳米，所述SiH₄掺杂剂的擦在浓度为1.9×10e²⁰cm^-3-1.2×10e²¹cm^-3之间。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层中铟IN的掺杂浓度为0％-15％。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。