[发明专利]N型超晶格接触层的生长方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体照明技术领域，尤其涉及N型超晶格接触层的生长方法。

背景技术

发光二极管的电极制作过程中，为了降低外延层表面与金属之间的接触电压，一般会利用特殊的材料以及工艺来生长接触层，确保金属与非金属接触由于势垒产生的电压。传统的制造工艺是在P型层的基础上生长一层P型氮化铟镓P-InGaN，来降低接触势垒形成的肖特基电压。但是，在利用P-InGaN进行降低接触电压的同时，若InGaN中铟IN的成分过高则会对量子阱发光层发出的光有一定的吸收作用，若InGaN中铟IN的成分过低，则不利于降低接触层之间形成的肖特基电压，且P-InGaN对电流的扩散作用较差，不利于整个芯片发光效率的提升。

发明内容

本发明实施例提供一种N型超晶格接触层的生长方法，利用其独特的电特性能降低金属电极与外延片之间的肖特基势垒。提升了电流注入的均匀性、提升了亮度、降低了电极线与金属电极表面之间的结温，并且降低了大电流击穿芯粒的几率。

本发明实施例提供一种N型超晶格接触层的生长方法，包括：

在衬底的上表面生长氮化镓GaN缓冲层；

在所述氮化镓GAN缓冲层上生长非掺杂氮化镓U-GaN层；

在所述非掺杂氮化镓U-GaN层上生长N型氮化镓N-GaN层；

在所述N型氮化镓N-GaN层上生长量子阱发光层MQW；

在所述量子阱发光层MQW上生长P型氮化镓P-GaN层；

在所述P型氮化镓P-GaN层上生长N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层，其中x大于等于0且小于1。

可选地，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层的厚度为3-25纳米。

可选地，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层包括：甲硅烷SiH₄掺杂剂，所述SiH₄掺杂剂的掺杂浓度控制在1×10e²⁰cm^-3-1.2×10e²¹cm^-3之间。

可选地，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层为N型(IN_0.15GA_0.85N/GaN)₃超晶格接触层，N型(IN_0.15GA_0.85N/GaN)₃超晶格接触层的厚度为15纳米，其中IN_0.15GA_0.85N超的厚度为2纳米，GaN的厚度为3纳米，所述SiH₄掺杂剂的擦在浓度为1.2×10e²¹cm^-3。

可选地，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层为N型(IN_0.1GA_0.9N/GaN)₄超晶格接触层，N型(IN_0.1GA_0.9N/GaN)₄超晶格接触层的厚度为16纳米，其中N型IN_0.1GA_0.9N的厚度为2纳米，GaN的厚度为2纳米，所述SiH₄掺杂剂的擦在浓度为1.9×10e²⁰cm^-3-1.2×10e²¹cm^-3之间。

可选地，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接触层中铟IN的掺杂浓度为0％-15％。

可选地，所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。