[发明专利]半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一栅堆叠，位于衬底之上；

第一介电层，位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面；

间隙壁，位于所述第一栅堆叠与所述第一介电层之间；

遮蔽层，位于所述第一栅堆叠的顶表面上且延伸至覆盖所述第一介电层的所述顶表面；以及

连接件，穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠，

其中所述间隙壁具有彼此相对的第一侧表面与第二侧表面以及连接所述第一侧表面与所述第二侧表面的顶表面，且

其中所述间隙壁的所述第一侧表面接触所述遮蔽层以及所述第一栅堆叠的栅介电层，所述间隙壁的所述第二侧表面接触所述第一介电层，且所述间隙壁的所述顶表面接触所述遮蔽层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述遮蔽层之上的第二介电层，其中所述连接件穿过所述第二介电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述衬底之上的第二栅堆叠，其中所述第二栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的所述顶表面，且所述遮蔽层还延伸至覆盖所述第二栅堆叠的所述顶表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述遮蔽层包括SiN、SiC、SiCN、SiON、SiCON或其组合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接件与所述遮蔽层的一个转折点实体接触，但不与所述遮蔽层的另一转折点实体接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述间隙壁包括含氮的介电材料、含碳的介电材料或二者。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底具有在第一方向上延伸的至少一个鳍，且所述第一栅堆叠在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并跨越所述至少一个鳍。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底是平面衬底。

9.一种鳍式场效晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底，具有至少一个鳍；

第一栅堆叠，跨越所述至少一个鳍；

第一介电层，位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷；

间隙壁，位于所述第一栅堆叠与所述第一介电层之间；

第二介电层，位于所述第一介电层之上并填入所述第一凹陷中；

连接件，穿过所述第二介电层并电连接至所述第一栅堆叠；以及

遮蔽层，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间且与所述连接件实体接触，其中所述遮蔽层与所述连接件的一侧之间的接触面积大于所述遮蔽层与所述连接件的另一侧之间的接触面积，

其中所述间隙壁具有彼此相对的第一侧表面与第二侧表面以及连接所述第一侧表面与所述第二侧表面的顶表面，且

其中所述间隙壁的所述第一侧表面接触所述遮蔽层以及所述第一栅堆叠的栅介电层，所述间隙壁的所述第二侧表面接触所述第一介电层，且所述间隙壁的所述顶表面接触所述遮蔽层。

10.根据权利要求9所述的鳍式场效晶体管器件，其特征在于，还包括跨越所述至少一个鳍的第二栅堆叠，其中所述第二栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的所述顶表面，从而在所述第二栅堆叠上方提供第二凹陷，且所述遮蔽层还延伸至覆盖所述第二凹陷的表面。

11.根据权利要求9所述的鳍式场效晶体管器件，其特征在于，所述遮蔽层包括SiN、SiC、SiCN、SiON、SiCON或其组合。

12.根据权利要求9所述的鳍式场效晶体管器件，其特征在于，所述间隙壁包括含氮的介电材料、含碳的介电材料或二者。