[发明专利]半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法

说明书

本发明实施例公开了半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。根据一些实施例，半导体器件包括衬底、第一栅堆叠、第一介电层、遮蔽层及连接件。所述第一栅堆叠位于衬底之上。所述第一介电层位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷。所述遮蔽层位于所述第一凹陷的表面上且延伸至所述第一介电层的所述顶表面上。所述连接件穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了快速的成长。在IC 材料和设计技术方面的技术精进使IC有世代的演进，相较于前一世代，下一世代的IC体积更小且电路更为复杂。在集成电路进化的过程中，功能密度(亦即，每芯片面积的互连器件的数量)不断地增加，而几何尺寸(即，可使用制造过程所产生的最小组件或线)不断地缩小。这样的按比例缩小工艺通常通过提高生产效率以及降低相关成本来提供益处。

这种按比例缩小增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。举例来说，引进例如鳍式场效晶体管 (fin-type field-effecttransistor，FinFET)的三维晶体管来替换平面晶体管。尽管现有的鳍式场效晶体管器件及其形成方法对于它们的预期目的通常已经足够，然而它们不是在所有方面都令人完全满意。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种半导体器件包括衬底、第一栅堆叠、第一介电层、遮蔽层及连接件。所述第一栅堆叠位于衬底之上。所述第一介电层位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷。所述遮蔽层位于所述第一凹陷的表面上且延伸至所述第一介电层的所述顶表面上。所述连接件穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明实施例的各个方面。请注意，根据产业中的标准实务，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各种特征的关键尺寸(critical dimension)可以任意地增大或减小。

图1A至图1F是根据一些实施例的形成鳍式场效晶体管器件的方法的横截面示意图。

图2是根据一些实施例的鳍式场效晶体管器件的横截面示意图。

图3是根据一些实施例的形成鳍式场效晶体管器件的方法的流程图。

图4至图5是根据替代实施例的半导体器件的横截面示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述构件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第二特征形成于第一特征“之上”或第一特征“上”可包括其中第二特征及第一特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第二特征与第一特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第二特征与所述第一特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面 (below)”、“下部的(lower)”、“位于…上(on)”、“位于…之上(over)”、“上覆的(overlying)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个构件或特征与另一(其他)构件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的定向外还囊括器件在使用或操作中的不同定向。设备可具有其他定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。