[发明专利]一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611232633.0 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106648272B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 王炜;谭化兵 申请(专利权)人: 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;B23K26/36;C23C16/04;C23C16/26
代理公司: 11686 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 肖淑芳
地址: 214000 江苏省无锡市惠山经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 第二导电层 第一导电层 电容式触控传感器 通道电极 多层石墨烯 薄膜图案 电容感应 光学胶层 芯片连接 超薄柔性 柔性膜 石墨烯
【说明书】:

发明公开了一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器,包括:超薄的柔性膜,包括a面和b面;a面和b面分别设有通道电极;设置于a面的第一导电层,所述第一导电层通过设置于a面的通道电极与电容式触控传感器的电容感应芯片连接,所述第一导电层由一层或多层石墨烯薄膜图案化而成;设置于第一导电层表面的第一光学胶层;设置于b面的第二导电层,所述第二导电层通过设置于b面的通道电极与电容式触控传感器的电容感应芯片连接,所述第二导电层由一层或多层石墨烯薄膜图案化而成;设置于第二导电层表面的第二光学胶层。

技术领域

本发明涉及一种超薄柔性电容式触控传感器,属于石墨烯电子器件制造领域。

背景技术

传统电容式触控传感器因为采用的是传统材料ITO,无法实现较好的柔性,同样,由于ITO薄膜易碎,在制作触控传感器的时候,十分容易因为弯折造成ITO性质发生突变,如导电性变差,这种时候只能通过增加ITO厚度和衬底的厚度,减少制作过程中的弯折,但是这样会导致整体厚度的增加,无法实现器件结构的超薄。但是随着柔性电子和可穿戴行业的蓬勃发展,超薄超柔的电容式触控传感器的需求越来越大,现有方案一般是基于ITO,通过双面镀ITO膜并加工图案或采用单面搭桥结构,可以制备出有弯折曲率半径最低5mm左右的整体厚度不低于125微米的电容式触控传感器,但是其工艺复杂,成本昂贵,良率也较低,无法满足市场的需求。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供了一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器;

本发明的另一目的是提供上述基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器的制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案来具体实现:

一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器,包括:

超薄的柔性膜,包括a面和b面;

a面和b面均设有通道电极;

设置于a面的第一导电层,所述第一导电层通过设置于a面的通道电极与电容式触控传感器的电容感应芯片连接,所述第一导电层由一层或多层石墨烯薄膜图案化而成;

设置于第一导电层表面的第一光学胶层;

设置于b面的第二导电层,所述第二导电层通过设置于b面的通道电极与电容式触控传感器的电容感应芯片连接,所述第二导电层由一层或多层石墨烯薄膜图案化而成;

设置于第二导电层表面的第二光学胶层。

优选地,所述超薄柔性膜为透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度为1μm-1000μm,进一步优选为25μm-50μm。

优选地,所述电极采用金属浆料或者采用金属箔。所述金属浆料或金属箔采用银、铜、镍、铬或铝中的一种或多种的合金。

优选地,所述第一导电层和第二导电层均为1-5层的石墨烯薄膜,优选单层石墨烯薄膜。

优选地,所述a面的通道电极的一端与第一导电层的边缘搭接,另一端与电容感应芯片连接;所述b面的通道电极的一端与第二导电层的边缘搭接,另一端与电容感应芯片连接。

优选地,所述第一光学胶层、第二光学胶层均采用无色透明的双面胶。

进一步优选的,所述第一光学胶层和第二光学胶层的厚度均为1-1000μm,最佳为10-150μm。

一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器的制备方法,包括如下步骤:

1)通道电极的形成

将超薄的柔性膜的两面分别记为a面和b面,并在两面表面分别制作电容式触控传感器的通道电极和定位标;

2)a面结构的形成

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