[发明专利]存储控制方法、存储装置有效

专利信息
申请号: 201611232957.4 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN108255633B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 洪俊雄;张坤龙;陈耕晖;罗思觉;廖惇雨 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储 控制 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种存储控制方法,其特征在于,适用于一存储装置,包括:

依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(ErrorCorrecting Codes,ECC)控制参数,其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域,该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域;以及

依据该ECC控制参数控制一ECC功能开启或关闭,以使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过该ECC功能处理,

其中,通过一与(AND)逻辑门对该非挥发性控制参数以及该挥发性控制参数作一AND逻辑运算,以产生该ECC控制参数;或者通过一或(OR)逻辑门对该非挥发性控制参数以及该挥发性控制参数作一OR逻辑运算,以产生该ECC控制参数。

2.如权利要求1所述的存储控制方法,其特征在于,其中控制该ECC功能还包括:

当利用该ECC控制参数关闭该ECC功能,存取自该存储单元阵列的该储存位置的数据不经该ECC功能处理。

3.如权利要求1所述的存储控制方法,其特征在于,其中控制该ECC功能还包括:

当利用该ECC控制参数开启该ECC功能,存取自该存储单元阵列的该储存位置的数据经过该ECC功能处理。

4.如权利要求1所述存储控制方法,其特征在于,其中该存储单元阵列包括一第一存储单元以及一第二存储单元,该存储控制方法还包括:

针对该第一存储单元设置一第一ECC控制参数;

针对该第二存储单元设置一第二ECC控制参数;

当该数据所对应的该储存位置属于该第一存储单元,以该第一ECC控制参数作为该ECC控制参数;以及

当该数据所对应的该储存位置属于该第二存储单元,以该第二ECC控制参数作为该ECC控制参数。

5.如权利要求1所述的存储控制方法,其特征在于,还包括:

将该非挥发性控制参数加载一缓存器以作为该挥发性控制参数,并以储存于该缓存器中的该挥发性控制参数作为该ECC控制参数;以及

响应一规划指令更新该挥发性控制参数的值,以控制开启或关闭该ECC功能。

6.如权利要求1所述的存储控制方法,其特征在于,还包括:

检测一存储单元的一阀电压分布;

判断该阀电压分布是否落在一阀电压区间;

当该阀电压分布落在该阀电压区间,利用该ECC控制参数开启该ECC功能;以及

当该阀电压分布未落在该阀电压区间,利用该ECC控制参数关闭该ECC功能。

7.一种存储装置,其特征在于,包括:

一存储单元阵列;

一控制电路,耦接该存储单元阵列,用以响应一存储控制器的控制指令,对该存储单元阵列中的一储存位置进行数据读写;

一错误更正码(Error Correcting Codes,ECC)更正逻辑,耦接该存储单元阵列,用以执行一ECC功能;以及

一ECC控制逻辑,耦接该ECC更正逻辑,用以依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一ECC控制参数,并依据该ECC控制参数控制该ECC更正逻辑的该ECC功能开启或关闭,以使得存取自该存储单元阵列的该储存位置的数据经过或不经过该ECC功能处理;

其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域,该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域,

其中,该ECC控制逻辑包括一与(AND)逻辑门,用以对该非挥发性控制参数以及该挥发性控制参数作一AND逻辑运算,以产生该ECC控制参数;或者该ECC控制逻辑包括通过一或(OR)逻辑门,用以对该非挥发性控制参数以及该挥发性控制参数作一OR逻辑运算,以产生该ECC控制参数。

8.如权利要求7所述的存储装置,其特征在于,其中当该ECC控制逻辑响应该ECC控制参数而关闭该ECC功能,存取自该存储单元阵列的该储存位置的数据不经该ECC功能处理。

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