[发明专利]存储控制方法、存储装置

说明书

一种存储控制方法，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(Error Correcting Codes，ECC)控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域；依据该ECC控制参数控制一ECC功能，使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过ECC功能处理。

技术领域

本发明是有关于一种存储控制方法、存储装置。

背景技术

错误更正码(Error Correcting Codes，ECC)是一种用来更正数据错误的技术，其广泛地被应用在通讯、数据储存等领域。通过在原始数据上附加额外的ECC数据，即便数据在传输的过程中受到外界的干扰或噪声，接收端仍可凭借ECC数据将发生错误的数据更正回原本正确的数据，进而降低数据错误率。

然而，系统执行ECC处理需耗费额外的时间来进行数据的比对以及更正，使得系统的整体效能降低。因此，有需要提出一种新的技术来解决上述议题。

发明内容

本发明提供一种存储控制方法以及存储装置，可依需求开启或关闭存储装置的错误更正码(Error Correcting Codes，ECC)功能，使系统在运行效能与数据正确性上取得较佳的平衡。本发明也利用储存在非挥发性存储区域的控制参数以及储存在挥发性存储区域的控制参数来产生ECC控制参数，进而改善开关ECC功能的可靠度。

根据本发明的一实施例，提出一种存储控制方法，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一ECC控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域；以及依据该ECC控制参数控制一ECC功能，使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过ECC功能处理。

根据本发明的一实施例，提出一种存储装置，包括一存储单元阵列、一控制电路、一ECC更正逻辑以及一ECC控制逻辑。控制电路耦接该存储单元阵列，用以响应一存储控制器的控制指令，对该存储单元阵列中的一储存位置进行数据读写。ECC更正逻辑耦接该存储单元阵列，用以执行一ECC功能。ECC控制逻辑耦接该ECC更正逻辑，用以依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一ECC控制参数，并依据该ECC控制参数控制该ECC更正逻辑的该ECC功能，使得存取自该储存位置的数据经过或不经过该ECC功能处理；其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依据本发明一实施例的存储系统的方块图。

图2绘示具有ECC功能的存储装置的方块图。

图3绘示依据本发明的一实施例的存储装置的局部示意图。

图4绘示依据本发明的另一实施例的存储装置的局部示意图。

图5绘示依据本发明的一实施例的ECC控制逻辑的示意图。

图6绘示依据本发明的另一实施例的ECC控制逻辑的示意图。

图7绘示依据本发明的另一实施例的ECC控制逻辑的示意图。

图8绘示存储单元的阀电压分布示意图。

图9绘示依据本发明的一实施例的存储控制方法的流程图。

【符号说明】

100：存储系统

102：存储控制器

104：第一存储装置