[发明专利]一种柔性全无机QLED器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611235119.2 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106711309B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 李乐;向超宇;张滔;辛征航;张东华 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/04;H01L33/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 空穴传输层 沉积 制备 电子传输层 底电极 发光层 量子点 云母片 衬底 脉冲激光沉积法 载流子传输效率 激光脉冲沉积 界面粗糙度 发光效率 晶体缺陷 顶电极 结晶性 耐高温 清洗
【权利要求书】:

1.一种柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,包括步骤:

在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极;

采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层;

在所述空穴传输层上沉积量子点发光层;

在所述量子点发光层上沉积电子传输层;

在所述电子传输层上沉积顶电极。

2.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,所述空穴传输层为无机金属化合物,所述无机金属化合物包括NiO、WO3;所述空穴传输层的厚度为50~100nm。

3.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时,激光能量密度为2~3J/cm2

4.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时,脉冲数为3000~5000。

5.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时,沉积之前控制沉积腔体内的基础压力不高于1×10-5Torr;和/或,沉积过程中的氧气压力为10~100mTorr;和/或,沉积过程中的衬底温度为500~800℃。

6.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,所述底电极为ITO电极,厚度为40~80nm。

7.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,所述量子点发光层为CdSe/ZnS量子点层,厚度为40~60nm。

8.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输层为ZnO薄膜,厚度为40~80nm。

9.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法,其特征在于,所述顶电极为金属铝,厚度为50~100nm。

10.一种柔性全无机QLED器件,其特征在于,采用如权利要求1~9任一项所述的柔性全无机QLED器件的制备方法制成。

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