[发明专利]一种柔性全无机QLED器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。本发明通过在耐高温的云母片柔性衬底上，采用激光脉冲沉积方法，获得拥有结晶性高、晶体缺陷少、界面粗糙度小的高质量的空穴传输层的全无机QLED器件；高质量的空穴传输层可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高QLED器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性全无机QLED器件及其制备方法。

背景技术

近年来，LED以其耗能低、产热少、寿命长等优点正逐步取代传统的照明材料，成为新一代的照明光源。有机发光二极管(OLED)也是目前新一代LED的研究热点，但其在高温环境下高分子涂层易老化，空气中易氧化，使用寿命也受到一定影响。无机材料作为量子点LED (QLED)的传输层，不仅降低OLED在封装上的严格要求，还可以延长使用寿命。因此，QLED成为了目前新型LED的研究热点，具有广阔的前景。

目前QLED（量子点发光二极管）主要有两种，有机载流子传输层QLED以及无机载流子传输层 QLED。有机载流子传输层材料空气稳定性差，不耐高温，封装技术要求高，存在较大问题。而无机载流子传输层虽然空气稳定性好，无需严密封装，但仍存在一定问题：空穴传输层空穴注入量子点的速率与和电子传输层将电子注入量子点的速率存在很大的差异，一般电子注入速率高，从而导致电子在量子点中堆积，过量的电子将会导致量子点充电以及非辐射复合。解决无机载流子传输层的传输速率对QLED器件的发光效率十分重要，现有全无机QLED器件制备方法制备的空穴功能层（包括空穴注入层及空穴传输层）的结晶度较低、结构缺陷较多，导致空穴传输层的载流子传输效率较低。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，旨在解决采用现有全无机QLED器件制备方法制备的空穴功能层，结晶度较低、结构缺陷较多，导致空穴传输层的载流子传输效率较低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种柔性全无机QLED器件的制备方法，包括步骤：

在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；

采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；

在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；

在所述量子点发光层上沉积电子传输层；

在所述电子传输层上沉积顶电极。

所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述空穴传输层为无机金属化合物，所述无机金属化合物包括NiO、WO₃；所述空穴传输层的厚度为50~100nm。

所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，激光能量密度为2~3J/cm²。

所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，脉冲数为3000~5000。

所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，沉积之前控制沉积腔体内的基础压力不高于1×10^-5Torr；和/或，沉积过程中的氧气压力为10~100mTorr；和/或，沉积过程中的衬底温度为500~800℃。

所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述底电极为ITO电极，厚度为40~80nm。