[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池和制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设置有叠层薄膜，所述叠层薄膜由下往上依次包括透明导电膜、窗口层、光吸收层、背接触层、背反射层和背电极层；所述窗口层为硫化镉薄膜层，所述光吸收层为碲化镉薄膜层，所述背接触层为硫氰酸亚铜薄膜层，所述背反射层为银薄膜层。

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背电极层包括镍薄膜层和铬薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述光吸收层厚度为50nm～2000nm。

4.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背接触层厚度为5nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背反射层厚度为30nm～800nm。

6.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述叠层薄膜还包括封装材料层和背板，所述封装材料层和所述背板依次设置于所述背电极层上。

7.一种碲化镉薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：衬底上由下往上依次沉积透明导电膜、窗口层、光吸收层、背接触层、背反射层和背电极层；所述窗口层为硫化镉薄膜层，所述光吸收层为碲化镉薄膜层，所述背接触层为硫氰酸亚铜薄膜层，所述背反射层为银薄膜层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，采用热蒸发沉积所述背接触层。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述热蒸发沉积蒸发源温度为300～1000℃，蒸发压力为10～1000pa。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括进行封装。