[发明专利]一种锂离子电池负极材料Si/TiO2复合材料的制备方法在审
申请号: | 201611236486.4 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106784711A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 韩超伟;贺劲鑫;郑媛媛;靳承铀;薛驰;缪永华 | 申请(专利权)人: | 中天储能科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锂离子电池 负极 材料 si tio2 复合材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种锂离子电池负极材料的制备方法,具体涉及一种锂离子电池负极材料Si/TiO2复合材料的制备方法。
背景技术
我国稻壳资源丰富,对稻壳资源的利用也趋向多样化,比如制作活性炭、水玻璃、用作水泥的添加剂以及养殖饲料等,但综合利用率不高,产品经济价值偏低。通过研究人们发现,稻壳含有大约15%—20%的SiO2,这些SiO2 经过水稻植物作用之后具有高纯、活性的特性,通过从稻壳中被还原的Si,更是保留了这些特点。此外,Si最为锂离子电池负极材料具有如下特点(1)具有最高的理论容量 Si:4200mAh/g C:376mAh/g(2)原料丰富、制备方法简单(3)高机械强度、高散热性(4)安全性好,不容易形成锂枝晶。但同时Si负极材料也面临着巨大的体积效应导致循环寿命降低,以及会被传统电解液腐蚀的缺点,而通过与TiO2进行复合,不但可以改善锂离子电池的充放电性能、增加其循环稳定性,还可以提高了对稻壳资源利用的新途径,创造经济价值,有着广阔的应用前景。
Nian Liu等通过对稻壳资源的预处理以及镁热还原法获得纳米多孔的硅,并获得了优异的比容量和较好的循环性能。
Shan Fang等通过合成SiO2球,然后与TiO2进行复合,最后再通过镁热还原的方法,得到了TiO2包覆的Si球,作为锂离子电池的负极材料,获得优异的循环性能。
国内专利号CN104037390 A介绍了一种静电纺丝的方法,制备出了一种硅/碳纳米线负载二氧化钛锂电池负极材料,同时发挥了硅/碳纳米线和二氧化钛的优势,获得较好循环的性能。国内专利号CN104009235 A 使用稻壳资源,通过利用其中的硅、碳元素,制备出了一种多孔硅/石墨烯复合材料,作为锂离子电池负极材料,具有较高的倍率性能。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,现提供一种方法操作简单,工艺流程短,成本低廉的锂离子电池负极材料Si/TiO2复合材料的制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种锂离子电池负极材料Si/TiO2复合材料的制备方法,其创新点在于:通过稻壳资源提取SiO2原料,然后利用镁热还原法将SiO2原料还原为Si,最后将Si与TiO2进行复合,即可制备Si/TiO2复合材料;具体包括以下步骤:
(1)用自来水将稻壳过滤清洗多次,然后在100℃-150℃下烘干;
(2) 将步骤(1)得到的稻壳加入HCl溶液中,在水浴恒温90℃-100℃下搅拌3-5h,然后用去离子水在250目的筛网上过滤清洗3-5次,最后在100℃-150℃下烘干;
(3)将步骤(2)得到的稻壳,在600℃下煅烧2-3h,将得到的产物在250目的筛网中过筛;
(4)将步骤(3)得到的产物和100-200目Mg粉按照比例进行球磨,然后在充满Ar气的手套箱中将混合料装入不锈钢管,并将其密封;
(5)在Ar气氛下,将步骤(4)的样品加热到650℃,并保温3-5h,然后将产物在HCl溶液中浸泡5-10h,离心过滤,然后加入1-2ml的HF溶液,浸泡3-5min后离心过滤,最后将产物在40-60℃下真空烘干;
(6)以钛酸四丁酯、无水乙醇、冰醋酸、PVP原料配制A溶液,以无水乙醇、去离子水为原料配制B溶液,然后将B溶液缓慢滴加到A溶液中,得到TiO2溶胶凝胶溶液;
(7)将Si加入到TiO2溶胶凝胶溶液中,室温下搅拌30min-1h,然后在40℃-60℃烘干;
(8)N2气氛下,将步骤(7)的样品加热到700℃,并保温2-3h,冷却至至室温后取出;
(9)将步骤(8)的样品、海藻酸钠、Super P混合均匀,加入少许水,充分搅拌成浆糊状涂在铜箔上,在40℃-60℃下真空干燥10-15h,然后使用13mm冲孔器裁剪获得电池极片,活性物质的密度为0.5-1 mg/cm2,在充满Ar气的在手套箱中,组装成纽扣电池,电池型号为2032,电解液为1M LiPF6,然后用纽扣电池封装机封装,首次测试电流密度为100mA/g,之后均为200mA/g。
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