[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有：

将形成有多个凸状含碳膜的衬底收容在处理室内的工序，

向所述衬底供给含硅气体，在所述凸状含碳膜的表面和所述衬底的表面形成含硅膜的工序，

向所述衬底供给进行了第一等离子体化的含氧气体从而形成含硅氧和杂质的膜的工序，和

在形成所述含硅氧和杂质的膜后，供给进行了第二等离子体化的所述含氧气体从而形成氧化硅膜的工序，

在形成所述含硅膜的工序中具有：

第一工序，以比所述含碳膜中的碳发生脱离的温度低的第一温度供给所述含硅气体；

第二工序，在所述第一工序之后，以比第一温度高的第二温度供给所述含硅气体。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第二等离子体为比所述第一等离子体的离子成分少的等离子体。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一等离子体为电容耦合性等离子体，所述第二等离子体为电感耦合性等离子体。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述含硅膜的形成工序和所述含硅氧和杂质的膜的形成工序在第一处理室进行，

所述含硅氧和杂质的膜的形成工序后，进行将所述衬底移动至与所述第一处理室连通的第二处理室来形成所述氧化硅膜的工序。

5.一种衬底处理装置，具有：

处理室，收容形成有多个凸状含碳膜的衬底，

第一气体供给部，向所述衬底供给含硅气体，

第二气体供给部，向所述衬底供给含氧气体，

第一电极，将所述含氧气体进行第一等离子体化，

第二电极，将所述含氧气体进行第二等离子体化，

高频电源部，向所述第一电极和所述第二电极供给电力，

在所述处理室内加热所述衬底的加热部，和

控制部，所述控制部以下述方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部、所述高频电源部和所述加热部，所述方式为：

在进行以比所述含碳膜中的碳发生脱离的温度低的第一温度向所述衬底供给含硅气体的第一处理和在所述第一处理之后以比所述第一温度高的第二温度供给所述含硅气体的第二处理从而所述凸状含碳膜的表面和所述衬底的表面形成含硅膜后，向所述衬底供给进行了所述第一等离子体化的所述含氧气体从而形成含硅氧和杂质的膜，

在形成所述含硅氧和杂质的膜后，向所述衬底供给进行了所述第二等离子体化的所述含氧气体从而形成氧化硅膜。

6.如权利要求5所述的衬底处理装置，所述控制部以使所述第二等离子体成为比所述第一等离子体的离子成分少的等离子体的方式，控制所述高频电源部。

7.如权利要求5所述的衬底处理装置，所述第一电极具有生成电容耦合性等离子体作为所述第一等离子体的电极结构，所述第二电极具有生成电感耦合性等离子体作为所述第二等离子体的电极结构。

8.如权利要求5所述的衬底处理装置，所述第一电极在与衬底支承部相对的位置构成为板状，所述衬底支承部支承所述衬底，所述第二电极构成为将第二处理室包围的线圈形状，所述第二处理室设于所述处理室的下方。