[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题为提高形成于衬底上的氧化膜的膜质。本发明的方法具有：将形成有多个凸状含碳膜的衬底收容在处理室内的工序，向衬底供给含硅气体而在凸状含碳膜的表面和衬底的表面形成含硅膜的工序，向衬底供给进行了第一等离子体化的含氧气体从而形成含硅氧膜的工序，和在形成含硅氧膜后、供给进行了第二等离子体化的含氧气体从而形成氧化硅膜的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成包含硅(Si)等规定元素的氧化膜的成膜处理(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-67747号公报

发明内容

正在寻求提高形成于衬底上的氧化膜的膜质的技术。

因此，本发明中，提供一种能够提高形成于衬底上的氧化膜的膜质的技术。

根据一个方式，提供一种技术，具有：

将形成有多个凸状含碳膜的衬底收容在处理室内的工序，向衬底供给含硅气体、在凸状含碳膜的表面和衬底的表面形成含硅膜的工序，向衬底供给进行了第一等离子体化的含氧气体从而形成含硅氧膜的工序，和在形成含硅氧膜后、供给进行了第二等离子体化的含氧气体从而形成氧化硅膜的工序。

发明效果

通过本发明涉及的技术，能够提高形成于衬底上的氧化膜的膜质。

附图说明

[图1]为一实施方式涉及的衬底处理装置的构成简图。

[图2]为一实施方式涉及的气体供给系统的构成简图。

[图3]为一实施方式涉及的衬底处理装置的控制器的构成简图。

[图4]为表示一实施方式涉及的各工序后的衬底状态的图。

[图5]为表示一实施方式涉及的第一处理工序的流程图。

[图6]为表示一实施方式涉及的第二处理工序的流程图。

[图7]为表示一实施方式涉及的第三处理工序的流程图。

[图8]为一实施方式涉及的第一处理工序的顺序图。

[图9]为表示其他实施方式涉及的第一处理工序的温度控制例的图。

附图标记说明

100 处理装置

200 晶片(衬底)

201a 第一处理室

201b 第二处理室

202 处理容器

212 衬底载置台

213 加热器

221 第一排气口

234 簇射头

244 第一电极

260 控制器

具体实施方式

以下，说明本发明的实施方式。

＜一实施方式＞

以下，结合附图说明本发明的一实施方式。

(1)衬底处理装置的构成