[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其将下述工序作为一个组合并重复多次，从而形成将绝缘膜和牺牲膜层叠而成的层叠结构，所述工序为：

绝缘膜形成工序，在衬底上形成绝缘膜；

牺牲膜形成工序，在所述绝缘膜上形成牺牲膜；和

改质工序，供给等离子体状态的氩气从而将所述氩气的等离子体的离子成分吸引至所述牺牲膜，从而进行改质以降低所述牺牲膜和所述绝缘膜的膜应力差。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

在所述牺牲膜形成工序中，使用至少包含硅成分和杂质的含硅气体和包含氮成分的含氮气体来形成所述牺牲膜，

在所述改质工序中，进行改质以切断所述牺牲膜中的所述氮成分和所述杂质的键、或所述硅成分和所述杂质的键，从而降低所述牺牲膜的拉伸应力。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，从所述牺牲膜形成工序结束后起直至所述绝缘膜形成工序开始之前，进行所述改质工序。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，包括：

牺牲膜除去工序，在形成所述层叠结构后，除去所述牺牲膜从而形成空隙；和

导电膜形成工序，在所述空隙中形成导电膜。

5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，包括：

牺牲膜除去工序，在形成所述层叠结构后，除去所述牺牲膜从而形成空隙；和

导电膜形成工序，在所述空隙中形成导电膜。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，从所述牺牲膜形成工序结束后起直至所述绝缘膜形成工序开始之前，进行所述改质工序。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，包括：

牺牲膜除去工序，在形成所述层叠结构后，除去所述牺牲膜从而形成空隙；和

导电膜形成工序，在所述空隙中形成导电膜。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

在形成所述绝缘膜的工序中，使用至少包含硅成分和杂质的含硅气体和包含氧成分的含氧气体来形成，

在所述改质工序中，进行改质以切断所述绝缘膜中的所述氧成分和所述杂质的键、或所述硅成分和所述杂质的键，从而降低所述绝缘膜的压缩应力。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，从所述绝缘膜形成工序结束后起直至所述牺牲膜形成工序开始之前，进行所述改质工序。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，包括：

牺牲膜除去工序，在形成所述层叠结构后，除去所述牺牲膜从而形成空隙；

绝缘膜修复工序，在形成所述空隙后，在所述绝缘膜上形成新绝缘膜以对所述绝缘膜进行修复；和

导电膜形成工序，在所述空隙中形成导电膜。

11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，包括：

牺牲膜除去工序，在形成所述层叠结构后，除去所述牺牲膜从而形成空隙；

绝缘膜修复工序，在形成所述空隙后，在所述绝缘膜上形成新绝缘膜以对所述绝缘膜进行修复；和

导电膜形成工序，在所述空隙中形成导电膜。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，从所述绝缘膜形成工序结束后起直至所述牺牲膜形成工序开始之前，进行所述改质工序。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，包括：

牺牲膜除去工序，在形成所述层叠结构后，除去所述牺牲膜从而形成空隙；

绝缘膜修复工序，在形成所述空隙后，在所述绝缘膜上形成新绝缘膜以对所述绝缘膜进行修复；和

导电膜形成工序，在所述空隙中形成导电膜。